[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法及半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010685965.4
• 申請(qǐng)日: 2020-07-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111725070A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葛薇薇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杰華特微電子（杭州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;李鎮(zhèn)江

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上制作第一導(dǎo)電類型摻雜的外延層；

在所述外延層上表面制作第一導(dǎo)電類型摻雜的漂移區(qū)和第二導(dǎo)電類型摻雜的阱區(qū)；

在制作完所述漂移區(qū)的所述外延層上依次制作氧化層和多晶硅層，以第二掩膜版為掩膜，刻蝕所述氧化層和所述多晶硅層，獲得柵極結(jié)構(gòu)和場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；

在獲得所述柵極結(jié)構(gòu)和所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)后，在所述漂移區(qū)中制作漏端摻雜區(qū)，在所述阱區(qū)中制作源端摻雜區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，

所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)為分段式結(jié)構(gòu)，間隔設(shè)置在所述柵極結(jié)構(gòu)與所述第一摻雜區(qū)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，

所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)的每一段均單獨(dú)電引出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，還包括：

在制作完所述源端摻雜區(qū)、所述漏端摻雜區(qū)后，制作電極，將所述柵極結(jié)構(gòu)、所述源端摻雜區(qū)、所述漏端摻雜區(qū)和所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)均電引出，所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)還與所述柵極結(jié)構(gòu)、所述源端摻雜區(qū)和所述漏端摻雜區(qū)中的至少一個(gè)電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述制作第二導(dǎo)電類型摻雜的所述阱區(qū)的步驟包括：

在所述外延層上制作所述柵極結(jié)構(gòu)，采用所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，自對(duì)準(zhǔn)制作所述阱區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述源端摻雜區(qū)包括第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，制作所述源端摻雜區(qū)的步驟包括：

采用所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，自對(duì)準(zhǔn)注入第一導(dǎo)電類型摻雜雜質(zhì)，以獲得所述第三摻雜區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，

所述半導(dǎo)體器件為N型LDMOS器件，所述第一導(dǎo)電類型摻雜為N型摻雜，所述第二導(dǎo)電類型摻雜為P型摻雜，或，

所述半導(dǎo)體器件為P型LDMOS器件，所述第一導(dǎo)電類型摻雜為P型摻雜，所述第二導(dǎo)電類型摻雜為N型摻雜。

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

位于襯底上的外延層；

位于所述外延層上表面兩端的漂移區(qū)和阱區(qū)；

位于所述阱區(qū)上表面的源端摻雜區(qū)；

位于所述漂移區(qū)上表面的漏端摻雜區(qū)；

柵極結(jié)構(gòu)，位于所述外延層上，連接所述源端摻雜區(qū)與所述漂移區(qū)；

場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，位于所述外延層上，位于所述柵極結(jié)構(gòu)與所述漏端摻雜區(qū)之間，其中，所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)的層結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)的層結(jié)構(gòu)相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)為分段式結(jié)構(gòu)，間隔分布在所述柵極結(jié)構(gòu)與所述漏端摻雜區(qū)之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述場(chǎng)板結(jié)構(gòu)的每一段均單獨(dú)電引出。