[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202010681259.2
• 申請日: 2020-07-15
• 公開（公告）號: CN112310221A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 林杠默;金相秀;樸雨錫;朱大權
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導體器件，包括：

有源區，所述有源區在襯底上沿第一方向延伸；

多個溝道層，所述多個溝道層在所述有源區上彼此豎直地間隔開；

柵極結構，所述柵極結構在所述襯底上沿第二方向延伸，所述柵極結構與所述有源區和所述多個溝道層相交，所述柵極結構至少部分地圍繞所述多個溝道層；

源極/漏極區，所述源極/漏極區在所述柵極結構的至少一側設置在所述有源區上，所述源極/漏極區與所述多個溝道層接觸；

下絕緣層，所述下絕緣層在所述源極/漏極區上設置在所述柵極結構的側表面之間；

接觸插塞，所述接觸插塞穿過所述下絕緣層，所述接觸插塞接觸所述源極/漏極區；和

隔離結構，所述隔離結構在所述襯底上沿所述第二方向與所述有源區相交地延伸，并且設置在彼此相鄰的所述源極/漏極區之間，

其中，每個所述柵極結構包括柵電極和位于所述柵電極上的柵極覆蓋層，并且所述隔離結構和所述柵極覆蓋層包括彼此不同的材料。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述隔離結構和所述下絕緣層包括彼此不同的材料。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述隔離結構包括SiO、SiN、SiCN、SiOC、SiON和/或SiOCN。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述隔離結構的側表面與彼此相鄰的所述源極/漏極區接觸。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述隔離結構的下端設置在所述有源區的下端下方。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，每個所述柵極結構包括設置在所述柵電極的側表面上的間隔物層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述間隔物層的上表面、所述柵極覆蓋層的上表面和所述隔離結構的上表面彼此基本共面。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述間隔物層的至少一部分設置在所述隔離結構的側表面上。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：

內部間隔物層，所述內部間隔物層設置在所述柵極結構的在所述第一方向上的相對側并且設置在所述多個溝道層中的每個溝道層的下表面上，所述內部間隔物層具有與所述多個溝道層的外側表面基本共面的外側表面。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述隔離結構與所述下絕緣層和所述源極/漏極區接觸。

11.一種半導體器件，包括：

有源區；

多個晶體管，所述多個晶體管在所述有源區上沿第一方向彼此間隔開，所述多個晶體管中的每個晶體管包括位于所述有源區上的溝道結構、至少部分地圍繞所述溝道結構的柵極結構、在所述有源區上與所述溝道結構接觸的源極/漏極區以及設置在所述溝道結構之間的內部間隔物層；和

隔離結構，所述隔離結構朝向所述有源區延伸，所述隔離結構與所述柵極結構、所述溝道結構和所述內部間隔物層中的至少一者接觸，所述隔離結構將所述多個晶體管彼此分開，

其中，所述柵極結構包括柵電極和位于所述柵電極上的柵極覆蓋層，所述隔離結構的上表面被設置為高于所述柵電極的上表面，并且

其中，所述隔離結構和所述柵極覆蓋層包括彼此不同的材料。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述柵極覆蓋層的上表面與所述隔離結構的上表面基本共面。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述柵極結構包括位于所述柵電極的側表面上的柵極間隔物層，并且

每個所述柵極間隔物層具有與所述隔離結構的上表面基本共面的上表面。