[發明專利]一種10-50nm高純度納米氧化鈰的制備方法

在審

• 申請號: 202010675867.2
• 申請日: 2020-07-14
• 公開（公告）號: CN113929127A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 廣西立之億新材料有限公司
• 主分類號: C01F17/235
• 分類號: C01F17/235;C01F17/10;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 張曉冬

1.一種10-50nm高純度納米氧化鈰的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將高純度硝酸鈰、高純度甘氨酸和高純度PEG原料用半導體級超純水進行溶解，將所得溶液采用密閉式高純保護氣體噴霧干燥器進行干燥，生成微米級的干粉；

(2)采用高純氧氣將生成的粉末輸運到高溫反應爐里，粉末在高溫爐里進行爆炸式反應，即可得到粒徑為10-50nm、純度為99.9999wt％以上的納米氧化鈰。

2.根據權利要求1所述的高純度納米氧化鈰的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的甘氨酸與硝酸鈰的摩爾比為0-10:1，PEG的添加量為甘氨酸和硝酸鈰總質量的0-50％。

3.根據權利要求1所述的高純度納米氧化鈰的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的甘氨酸金屬含量小于0.001％，PEG金屬含量小于0.001％，硝酸鈰的純度為99.9999％。

4.根據權利要求1所述的高純度納米氧化鈰的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的PEG的分子量為200-2000。

5.根據權利要求1所述的高純度納米氧化鈰的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的半導體級超純水的電阻率≥10MΩ﹒cm。

6.根據權利要求1所述的10-50nm高純度納米氧化鈰的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的高純保護氣體為氮氣或氬氣，純度≥99.9999wt％。

7.根據權利要求1所述的10-50nm高純度納米氧化鈰的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的高純氧氣的純度≥99.9999wt％。

8.根據權利要求1所述的10-50nm高純度納米氧化鈰的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的高溫反應爐溫度為400-2000℃，煅燒時間為0-3600s。