[發明專利]一種襯底及其加工方法、發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 202010670939.4
• 申請日: 2020-07-13
• 公開（公告）號: CN111785814B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 李瑞評;曾柏翔;張佳浩;陳銘欣;曾建堯
• 申請（專利權）人: 福建晶安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

本發明提供一種襯底及其加工方法、發光二極管及其制造方法，通過確定襯底所呈現的不對稱面型及不對稱取向，在不對稱取向上對襯底進行掃描，在襯底中形成改質點通過調整不對稱方向上掃描線的間隔距離，使得同一方向上的掃描線相互平行，而不對稱方向上的掃描線的間隔距離不同，在不對稱方向上產生間隔距離不同的改質點，通過形成上述改質點，使得襯底的應力發生改變，均勻整個襯底的應力分布，在不同的方向上產生不同的彎曲值變化，最終使得襯底在每個徑向方向上的彎曲幅度和彎曲方向趨于一致，襯底面型收斂為對稱面型。對稱面型的襯底有利于提高后續外延層波長的收斂性，進而使得器件良率大大提升。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種襯底及其加工方法、發光二極管及其制造方法。

背景技術

在半導體器件的制造過程中，通常需要借助生長襯底進行外延層的生長，對于生長襯底而言，襯底扭曲/彎曲是影響外延均勻性的最重要的因素。例如通常作為GaN外延層的生長襯底的藍寶石襯底，在藍寶石襯底的機械加工過程中，會使襯底產生不均勻的應力，從而使襯底發生扭曲；例如：在多線切割過程中，由于藍寶石較硬，鉆石線受到較大的切割阻力，將出現抖動以及變形，襯底兩側線的位置不對稱，導致襯底受力不均勻，發生扭曲；在研磨過程中，隨著時間的推移，研磨顆粒會逐漸的減小，而不同大小的顆粒對襯底的壓力是不同的，從而導致襯底的殘留應力不同；在單面拋光后，最終襯底兩面的粗糙度不同，會導致襯底兩側表面的應力狀況不同，扭曲會進一步惡化。襯底的彎曲/扭曲使得襯底呈現出不對稱的面型，不對成面型的襯底會導致后續形成的外延層的波長的收斂性降低。外延層波長的均勻性直接影響這后期器件的良率。

現有技術中，一般通過控制襯底的平片加工制程，例如長晶、切割、研磨、退火、銅拋和拋光等過程，來控制襯底的翹曲形狀或者翹曲量。然而，這樣的方法并不能使襯底完全收斂為對稱面型。因此，有必要提供一種能夠使襯底有效收斂為對稱面型的方法。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種不對稱面型襯底的加工方法、發光二極管及其制造方法。首先確定襯底所呈現的不對稱面型，并確定所述不對稱面型的不對稱取向，在不對稱取向上對襯底進行掃描，在襯底中形成改質點以使所述襯底由不對稱面型收斂為對稱面型。呈現對稱面型，例如碗型，的襯底，對稱面型的襯底有利于后續形成的外延層的波長均勻性。

為實現上述目的及其它相關目的，本發明的一實施例提供了一種呈現不對稱面型的襯底的加工方法：該方法包括以下步驟：

提供襯底，并確定所述襯底呈現的不對稱面型；

確定所述不對稱面型的不對稱的取向，并測量所述襯底在所述不對稱的取向上的彎曲度；

在所述不對稱的取向上，沿掃描線對所述襯底進行激光掃描，在所述襯底中形成改質點以使所述襯底由不對稱面型收斂為對稱面型。

可選地，在所述不對稱的取向上，沿掃描線對所述襯底進行激光掃描，還包括以下步驟：

根據所述襯底在所述不對稱的取向上的彎曲度，確定所述襯底的目標彎曲度bow0；

計算所述底在所述不對稱的取向上的彎曲度值所述目標彎曲度的彎曲度差值Δbow；

根據所述彎曲度差值Δbow確定對所述襯底進行激光掃描的掃描深度；

根據所述彎曲度差值Δbow調整不同取向上的掃描線之間的間距。

可選地，上述加工方法還包括：調整同一個取向上的掃描線相互平行。

可選地，上述加工方法還包括：調整同一個取向上的掃描線之間的間距相同，不同取向上的掃描線之間的間距不同。

可選地，確定所述不對稱面型的不對稱的取向，并測量所述襯底在所述不對稱的取向上的彎曲度，還包括如下步驟：