[發明專利]半導體裝置結構的形成方法在審
| 申請號： | 202010668082.2 | 申請日： | 2020-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN112509977A | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 林志昌;林群雄;王志豪 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 結構 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置結構的形成方法，包括：
在一基底上方形成一第一柵極堆疊，其中該基底具有一基座和在該基座上方的一第一鰭片結構，且該第一柵極堆疊包覆環繞該第一鰭片結構的一第一上部；
部分地移除未被該第一柵極堆疊覆蓋的該第一鰭片結構；
在該第一鰭片結構的一第一側壁上方形成一第一掩膜層；
在該第一掩膜層覆蓋該第一側壁的同時，在該第一鰭片結構的一第二側壁上方形成一第一應力物，其中該第一側壁與該第二側壁相對；
移除該第一掩膜層；以及
在該基座和該第一應力物上方形成一介電層，其中該介電層覆蓋該第一側壁。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
