[發(fā)明專利]觸控面板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010663312.6
• 申請日: 2020-07-10
• 公開（公告）號: CN111782086B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金鴻杰;張軒滿;葉佳锜;鄞閔慧;高逸群;黃彥衡
• 申請（專利權(quán)）人: 業(yè)成科技（成都）有限公司;業(yè)成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 成都希盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51226
• 代理人: 楊冬梅;張行知

在此揭示一種觸控面板及其制造方法，該觸控面板包括至少一導(dǎo)線，該導(dǎo)線由至少一導(dǎo)線高阻抗部以及至少一導(dǎo)線低阻抗部所組成；其中，該導(dǎo)線高阻抗部之薄膜電阻大于該導(dǎo)線低阻抗部之薄膜電阻，藉此可避免觸控面板周邊線路遭受彎折破壞的情形。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明系關(guān)于一種觸控面板，特別是一種可避免彎折破壞之觸控面板及其制造方法。

背景技術(shù)

在觸控面板領(lǐng)域中，習用的投射電容式觸控面板主要包含設(shè)置于基材上之單層或雙層觸控電極，該觸控電極與人體手指或?qū)щ婓w之間因接觸而產(chǎn)生電容感應(yīng)，進一步經(jīng)過控制電路的運算后，獲取可供操作系統(tǒng)判讀的坐標數(shù)據(jù)。進一步而言，投射電容式觸控面板通常包含觸控驅(qū)動(Tx)電極以及觸控感應(yīng)(Rx)電極，兩者可分別設(shè)置在不同的基板上，亦可設(shè)置于同一基板的相對二表面上；而觸控驅(qū)動電極以及觸控感應(yīng)電極皆與多條金屬導(dǎo)線(或稱引線)電性對應(yīng)連接，并透過其金屬引線與控制電路相連。

隨著科技的進步，可彎折式以及窄邊框觸控面板的需求隨之提高；而因應(yīng)需求所設(shè)置的金屬導(dǎo)線當具備可彎折的特性；然習用的產(chǎn)品時常在彎折處因訊號線斷開而導(dǎo)致彎折破壞(Bending failure)的情形，進而對觸控面板的運作產(chǎn)生負面影響。是故，習知的觸控面板有所缺失。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述內(nèi)容，本案之目的在于提供一種觸控面板，其具有良善的周邊線路設(shè)置，得以在具備可彎折特性的同時，亦能避免彎折破壞的情形。

本案發(fā)明人基于長期在觸控面板領(lǐng)域之經(jīng)驗以及持續(xù)的測試，發(fā)現(xiàn)容易造成彎折破壞之原因之一為周邊的導(dǎo)線之銀致密程度較高，而其阻抗較低，并發(fā)現(xiàn)銀引線阻抗與其彎折前后阻抗變化率之關(guān)聯(lián)?；诖说劝l(fā)現(xiàn)，本案發(fā)明人為本案發(fā)想許多不同的態(tài)樣以及實施方式。

本揭露之一態(tài)樣，系提供一種觸控面板。該觸控面板包括一感測單元以及一基板，該感測單元包括至少一導(dǎo)電網(wǎng)格層以及至少一導(dǎo)線，該導(dǎo)線與該導(dǎo)電網(wǎng)格層電性連接，且其中該導(dǎo)線由至少一導(dǎo)線高阻抗部以及至少一導(dǎo)線低阻抗部所組成，且該導(dǎo)線高阻抗部之薄膜電阻大于該導(dǎo)線低阻抗部以及該導(dǎo)電網(wǎng)格層之薄膜電阻；該基板用以令該感測單元設(shè)置于該基板之至少一表面上。

根據(jù)本揭露之一個或多個實施方式，該感測單元包括一第一導(dǎo)電網(wǎng)格層，其包括復(fù)數(shù)觸控感應(yīng)電極；以及一第二導(dǎo)電網(wǎng)格層，其包括復(fù)數(shù)觸控驅(qū)動電極；而該導(dǎo)線系與該第一導(dǎo)電網(wǎng)格層或該第二導(dǎo)電網(wǎng)格層電性連接。

根據(jù)本揭露之一個或多個實施方式，該觸控面板定義有一顯示區(qū)以及一邊框區(qū)；該顯示區(qū)包括一疊構(gòu)，該疊構(gòu)包括該第一導(dǎo)電網(wǎng)格層、該第二導(dǎo)電網(wǎng)格層、至少一絕緣層、該基板之一顯示部以及一液晶顯示模組(LCM)；而該邊框區(qū)包括該基板之一周邊部。

根據(jù)本揭露之一個或多個實施方式，該周邊部與至少一該導(dǎo)線自該邊框區(qū)以相同方向延伸至該顯示區(qū)并包覆部分該液晶顯示模組；更進一步而言，該周邊部與至少一該導(dǎo)線自該邊框區(qū)以相同方向延伸至該顯示區(qū)并貼附于該顯示模組下方。

根據(jù)本揭露之一個或多個實施方式，該導(dǎo)線高阻抗部之薄膜電阻至少為該導(dǎo)線低阻抗部以及該導(dǎo)電網(wǎng)格層之薄膜電阻的1.1倍，較佳地為1.1～1.25倍；且進一步而言，該導(dǎo)線高阻抗部及該導(dǎo)線低阻抗部皆系由銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料之中不同的任二者所組成。

根據(jù)本揭露之一個或多個實施方式，該導(dǎo)線高阻抗部之薄膜電阻至少為該導(dǎo)線低阻抗部以及該導(dǎo)電網(wǎng)格層之薄膜電阻的1.1倍，較佳地為1.1～1.25倍；且進一步而言，該導(dǎo)線高阻抗部及該導(dǎo)線低阻抗部皆系由銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料之中的任一者所組成。

根據(jù)本揭露之一個或多個實施方式，該導(dǎo)線高阻抗部系由納米銀線、銀粒子或?qū)щ姼叻肿覲EDOT:PSS所組成。

進一步而言，該導(dǎo)線高阻抗部定義有一第一側(cè)面以及其相對之一第二側(cè)面，該第一側(cè)面以及該第二側(cè)面之表面與該基板之表面的夾角皆不大于30度；較佳地，該第一側(cè)面以及該第二側(cè)面之表面與該基板之表面的夾角皆為20～30度。