[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010663090.8
• 申請(qǐng)日: 2020-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN111682034A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙舒寧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。所述陣列基板包括基板、有源層、柵極絕緣層、導(dǎo)體化作用層、介電層以及源漏極層。所述導(dǎo)體化作用層設(shè)于所述基板上并覆蓋所述有源層、所述柵極絕緣層以及所述柵極層。所述導(dǎo)體化作用層中包含活性金屬。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示設(shè)備領(lǐng)域，特別是一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示科技的進(jìn)步，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)由于具有輕、薄、低輻射以及體積小而不占空間的優(yōu)勢(shì)，目前已成為顯示器市場(chǎng)的主力產(chǎn)品，為應(yīng)液晶顯示產(chǎn)品的快速發(fā)展，液晶面板廠商的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日增。如何提升薄膜晶體管的效能、可靠性與降低制作成本，皆為重要的發(fā)展目標(biāo)。

與目前在液晶顯示器有源驅(qū)動(dòng)矩陣中廣泛采用的硅TFT相比，氧化物半導(dǎo)體TFT具有如下優(yōu)勢(shì)：(1)場(chǎng)效應(yīng)遷移率較高；(2)開關(guān)比高；(3)制備工藝溫度低；(4)可以制作大面積非晶薄膜，均勻性好，具有良好一致的電學(xué)特性；(5)受可見光影響小，比非晶硅薄膜晶體管穩(wěn)定；(6)可以制作成透明器件。在平板顯示領(lǐng)域，氧化物TFT技術(shù)幾乎滿足包括AMOLED驅(qū)動(dòng)、快速超大屏幕液晶顯示、3D顯示等諸多顯示模式的所有要求。在柔性顯示方面,襯底材料不能承受高溫，而氧化物TFT的制備工藝溫度低，與柔性襯底兼容，因而氧化物TFT具備較大優(yōu)勢(shì)。

新材料IGZO的問世很好得解決了傳統(tǒng)氫化非晶硅的缺點(diǎn)。但是在IGZO TFT的制備過程中，多采用氦或氬的等離子體轟擊IGZO進(jìn)行導(dǎo)體化，待轟擊后，隨著后段制程的退火，導(dǎo)體化區(qū)域會(huì)與ILD中氧結(jié)合，從而導(dǎo)致IGZO的電阻增加，影響顯示面板的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中IGZO的導(dǎo)體化區(qū)域會(huì)與ILD中氧結(jié)合，從而導(dǎo)致IGZO的電阻增加的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括基板、有源層、柵極絕緣層、導(dǎo)體化作用層、介電層以及源漏極層。所述有源層設(shè)于所述基板上，其包括溝道區(qū)域和連接溝道區(qū)域的導(dǎo)體化區(qū)域。所述柵極絕緣層設(shè)于所述有源層上。所述柵極層設(shè)于所述柵極絕緣層上。所述導(dǎo)體化作用層設(shè)于所述基板上，并覆蓋所述有源層的導(dǎo)體化區(qū)域、所述柵極絕緣層以及所述柵極層。所述導(dǎo)體化作用層中具有活性金屬，所述活性金屬奪取所述導(dǎo)體化區(qū)域中的氧原子后形成金屬氧化物。所述介電層設(shè)于所述導(dǎo)體化作用層上。所述源漏極層設(shè)于所述介電層上并與所述有源層連接。

進(jìn)一步地，所述活性金屬包含鎂、鉿中的至少一種。

進(jìn)一步地，所述源漏極層包括源極走線和漏極走線。所述源極走線和所述漏極走線穿過所述介電層和所述導(dǎo)體化作用層，并分別與所述有源層的導(dǎo)體化區(qū)域連接。

進(jìn)一步地，所述有源層為氧化物半導(dǎo)體；所述氧化物半導(dǎo)體包含銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、銦錫鋅氧化物(IZTO)、銦鎵鋅錫氧化物(IGZTO)中的至少一種。

進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括緩沖層以及遮光層。所述緩沖層設(shè)于所述基板與所述有源層之間。所述遮光層設(shè)于所述基板與所述緩沖層之間。所述源極走線的一端所述有源層連接，其另一端穿過所述介電層、所述導(dǎo)體化作用層和所述緩沖層與所述遮光層連接。

進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括鈍化層。所述鈍化層設(shè)于所述介電層上，其具有一開口，所述開口對(duì)應(yīng)所述源極走線。

本發(fā)明中還提供一種陣列基板的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基板。在所述基板上形成有源層。在所述有源層上形成柵極絕緣層。在所述柵極絕緣層上形成柵極層。在所述基板上形成導(dǎo)體化作用層。在所述導(dǎo)體化作用層上形成介電層。在所述介電層上形成源漏極層。

其中，所述導(dǎo)體化作用層中具有活性金屬，所述活性金屬奪取所述導(dǎo)體化區(qū)域中的氧原子后形成金屬氧化物。