[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202010663090.8
• 申請日: 2020-07-10
• 公開（公告）號: CN111682034A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 趙舒寧
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

有源層，設于所述基板上，所述有源層包括溝道區域和連接溝道區域的導體化區域；

柵極絕緣層，設于所述有源層上；

柵極層，設于所述柵極絕緣層上；

導體化作用層，設于所述基板上，并覆蓋所述有源層的導體化區域、所述柵極絕緣層以及所述柵極層；所述導體化作用層中具有活性金屬，所述活性金屬奪取所述導體化區域中的氧原子后形成金屬氧化物；

介電層，設于所述導體化作用層上；

源漏極層，設于所述介電層上，并與所述有源層連接。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述活性金屬包含鎂、鉿中的至少一種。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏極層包括源極走線和漏極走線；

所述源極走線和所述漏極走線穿過所述介電層和所述導體化作用層，并分別與所述有源層的導體化區域連接。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為氧化物半導體；所述氧化物半導體包含銦鎵鋅氧化物、銦鎵錫氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵鋅錫氧化物中的至少一種。

5.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

緩沖層，設于所述基板與所述有源層之間；

遮光層，設于所述基板與所述緩沖層之間；

所述源極走線的一端所述有源層連接，其另一端穿過所述介電層、所述導體化作用層和所述緩沖層與所述遮光層連接。

6.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

鈍化層，設于所述介電層上，其具有一開口，所述開口對應所述源極走線。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上形成有源層；

在所述有源層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵極層；

在所述基板上形成導體化作用層，所述導體化作用層中具有活性金屬，所述活性金屬奪取所述導體化區域中的氧原子后形成金屬氧化物；

在所述導體化作用層上形成介電層；

在所述介電層上形成源漏極層。

8.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述活性金屬包含鎂、鉿中的至少一種。

9.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述基板上形成導體化作用層步驟中包括以下步驟：

在所述基板上沉積一層活性金屬材料，并覆蓋所述有源層、所述柵極絕緣層以及所述柵極層；

所述活性金屬材料經過退火工藝奪取部分所述有源層中的氧原子，將所述有源層導體化，形成所述導體化區域和溝道區域，同時所述活性金屬材料氧化，形成所述導體化作用層。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-6所述的陣列基板。