[發(fā)明專利]一種聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010660752.6 | 申請日: | 2020-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN111653558A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王婕;朱德進;張偉;錢偉;劉石桂;李前寶 | 申請(專利權(quán))人: | 天通凱美微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100 | 代理人: | 王麗丹 |
| 地址: | 314400 浙江省嘉興*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 表面波 芯片 雙面 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 工藝 | ||
本發(fā)明公開了一種聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構(gòu),包括層壓板,在所述層壓板的表面和底面上均設(shè)有聲表裸芯片、控制器件和被動器件,在所述層壓板的底面上還設(shè)有錫球,在所述層壓板表面的聲表裸芯片、控制器件和被動器件和層壓板底面的聲表裸芯片、控制器件、被動器件和錫球的貼裝面上均設(shè)有環(huán)氧樹脂薄膜層,所述聲表裸芯片、控制器件、被動器件和錫球均通過金屬電極與層壓板相連。本發(fā)明解決了聲表濾波器的二次封裝問題,縮小了封裝體積,并且進行雙面貼裝,可以進一步提升集成度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種濾波器的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝,具體涉及一種聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝。
背景技術(shù)
目前,終端產(chǎn)品集成度的提升是市場的必然趨勢,集成化可以降低成本、提高性能,并且為終端客戶提供模塊化解決方案,節(jié)省客戶的調(diào)試時間。這就要求射頻前端模組集成更多的頻段,和其他的功能器件,如開關(guān),有源器件,被動器件等,封裝在一個模塊中。
現(xiàn)有聲表面波濾波器對工作表面潔凈度要求很高,因其工作原理還需要在工作面形成空腔,傳統(tǒng)的封裝方式是對單獨的聲表芯片進行封裝以滿足上述要求,再與其他頻段的濾波器和其他功能器件封裝在一起,這樣對于濾波器會有二次封裝的現(xiàn)象,體積增大;同時在行業(yè)中,因為工藝的限制,普遍存在的封裝方式是單面封裝,在集成度逐漸提高的情況下,封裝模塊的體積會進一步增大,不能滿足產(chǎn)品日益小型化的需求。只能增大模塊體積,增加集成度,或者減小模塊體積,減小集成度來解決問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝,解決了聲表濾波器的二次封裝問題,縮小了封裝體積,并且進行雙面貼裝,可以進一步提升集成度。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構(gòu),包括層壓板,在所述層壓板的表面和底面上均設(shè)有聲表裸芯片、控制器件和被動器件,在所述層壓板的底面上還設(shè)有錫球,在所述層壓板表面的聲表裸芯片、控制器件和被動器件和層壓板底面的聲表裸芯片、控制器件、被動器件和錫球的貼裝面上均設(shè)有環(huán)氧樹脂薄膜層,所述聲表裸芯片、控制器件、被動器件和錫球均通過金屬電極與層壓板相連。
作為一種優(yōu)選,所述控制器件包括開關(guān)、PA 、LNA。
作為一種優(yōu)選,所述被動器件包括電容、電感。
作為進一步的改進,所述層壓板底面還設(shè)有被動器件。
作為一種優(yōu)選,所述環(huán)氧樹脂薄膜層采用環(huán)氧樹脂片狀薄膜材料。
一種聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝,包括以下步驟,
第一步,先對層壓板的表面進行貼裝,將聲表裸芯片、控制器件和被動器件根據(jù)需要,通過SMT、金球倒裝或錫球倒裝工藝貼裝在層壓板上,通過金屬電極與層壓板相連;
第二步,然后對層壓板的底面進行貼裝,將聲表裸芯片,控制器件和被動器件根據(jù)需要,通過SMT、金球倒裝或錫球倒裝工藝貼裝在層壓板上,通過金屬電極與層壓板相連;并對底面進行植球,所植球為錫球,球直徑大小根據(jù)產(chǎn)品需要來選擇;
第三步,選擇合適的環(huán)氧樹脂片狀薄膜材料,覆蓋貼裝好后的層壓板表面和底面,然后進行真空壓合;
第四步,對層壓板的底面進行研磨,研磨的深度可以根據(jù)需要進行調(diào)節(jié),研磨后露出所植的錫球;
第五步,對所植的錫球區(qū)域進行激光去除,去除選定區(qū)域的封裝材料;
第六步,將封裝完成的層壓板過回流焊,回流焊后,由于錫球本身的特性,錫球改變形狀重新形成球形,并突出于封裝表面,可進行SMT貼裝。
作為一種優(yōu)選,第二步步驟中,植球和貼裝芯片兩道工序可根據(jù)需要來調(diào)整先后順序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





