[發(fā)明專利]一種聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構及其封裝工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010660752.6
• 申請日: 2020-07-10
• 公開（公告）號: CN111653558A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 王婕;朱德進;張偉;錢偉;劉石桂;李前寶
• 申請（專利權）人: 天通凱美微電子有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 王麗丹

1.一種聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構，包括層壓板，其特征在于：在所述層壓板的表面和底面上均設有聲表裸芯片、控制器件和被動器件，在所述層壓板的底面上還設有錫球，在所述層壓板表面的聲表裸芯片、控制器件和被動器件和層壓板底面的聲表裸芯片、控制器件和錫球的貼裝面上均設有環(huán)氧樹脂薄膜層，所述聲表裸芯片、控制器件、被動器件和錫球均通過金屬電極與層壓板相連。

2.如權利要求1所述的聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構，其特征在于：所述控制器件包括開關、PA 、LNA。

3.如權利要求1所述的聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構，其特征在于：所述被動器件包括電容、電感。

4.如權利要求1所述的聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構，其特征在于：所述層壓板底面還設有被動器件。

5.如權利要求1所述的聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構，其特征在于：所述環(huán)氧樹脂薄膜層采用環(huán)氧樹脂片狀薄膜材料。

6.一種如權利要求1所述的聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構的封裝工藝，其特征在于：包括以下步驟，

第一步，先對層壓板的表面進行貼裝，將聲表裸芯片、控制器件和被動器件根據(jù)需要，通過SMT、金球倒裝或錫球倒裝工藝貼裝在層壓板上，通過金屬電極與層壓板相連；

第二步，然后對層壓板的底面進行貼裝，將聲表裸芯片，控制器件和被動器件根據(jù)需要，通過SMT、金球倒裝或錫球倒裝工藝貼裝在層壓板上，通過金屬電極與層壓板相連；并對底面進行植球，所植球為錫球，球直徑大小根據(jù)產(chǎn)品需要來選擇；

第三步，選擇合適的環(huán)氧樹脂片狀薄膜材料，覆蓋貼裝好后的層壓板表面和底面，然后進行真空壓合；

第四步，對層壓板的底面進行研磨，研磨的深度可以根據(jù)需要進行調(diào)節(jié)，研磨后露出所植的錫球；

第五步，對所植的錫球區(qū)域進行激光去除，去除選定區(qū)域的封裝材料；

第六步，將封裝完成的層壓板過回流焊，回流焊后，由于錫球本身的特性，錫球改變形狀重新形成球形，并突出于封裝表面，可進行SMT貼裝。

7.如權利要求6所述的聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構的封裝工藝，其特征在于：第二步步驟中，植球和貼裝芯片兩道工序可根據(jù)需要來調(diào)整先后順序。

8.如權利要求6所述的聲表面波裸芯片的雙面封裝結(jié)構的封裝工藝，其特征在于：第三步步驟中，真空壓合有兩種選擇：其一是選擇將芯片貼裝層壓板的表面后，將環(huán)氧樹脂片狀薄膜材料覆蓋層壓板表面，先進行層壓板表面的真空壓合，然后再將芯片貼裝層壓板的底面并植球，將環(huán)氧樹脂片狀薄膜材料覆蓋層壓板底面，再進行層壓板底面的真空壓合；其二是，先將層壓板的表面進行芯片貼裝，然后將層壓板的底面進行芯片貼裝和植球，再將環(huán)氧樹脂片狀薄膜材料覆蓋層壓板的表面和底面，最后層壓板的表面和底面一起進行真空壓合。