[發明專利]具有測溫功能的IGBT封裝結構及封裝方法

有效

• 申請號: 202010660423.1
• 申請日: 2020-07-10
• 公開（公告）號: CN111987051B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 邱秀華;李志軍;朱永斌
• 申請（專利權）人: 浙江天毅半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473;H01L23/58;H01L29/739;H01L23/00;H01L23/26
• 代理公司: 北京勁創知識產權代理事務所(普通合伙) 11589
• 代理人: 曹玉清

本發明公開了具有測溫功能的IGBT封裝結構及封裝方法，包括散熱底座，散熱底座的兩側分別連通有進水閥和排水閥，散熱底座底部的兩側均固定連接有安裝架，安裝架底部的前后兩側均開設有安裝孔，所述散熱底座的頂部固定連接有導熱硅膠。本發明通過設置散熱底座、第二散熱板、隔熱板、第一散熱板、安裝架、進水閥、第一散熱孔、安裝孔、進風管、排水閥、定位框、蛇形管、導熱硅膠、殼體、定位桿、溫度傳感器、外罩、IGBT模塊、散熱風扇、限位板、彈簧、第一定位孔、第二定位孔、螺紋管、第二過濾網、框架、第一過濾網、固體干燥劑和第二散熱孔的配合使用，解決了現有的IGBT封裝結構不具備測溫功能且散熱出事效果較差的問題。

技術領域

本發明涉及IGBT封裝技術領域，具體為具有測溫功能的IGBT封裝結構及封裝方法。

背景技術

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域，IGBT模塊在電路方面的應用越發的廣泛，但是現有的IGBT模塊不具備準確測溫的功能，同時外界其它設備的熱量的傳遞也會對IGBT模塊的運行造成影響，從而會降低IGBT模塊的散熱效率。

發明內容

本發明的目的在于提供具有測溫功能的IGBT封裝結構，具備測溫功能且散熱除濕效果好的優點，解決了現有的IGBT封裝結構不具備測溫功能且散熱出事效果較差的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：具有測溫功能的IGBT封裝結構，包括散熱底座，所述散熱底座的兩側分別連通有進水閥和排水閥，所述散熱底座底部的兩側均固定連接有安裝架，所述安裝架底部的前后兩側均開設有安裝孔，所述散熱底座的頂部固定連接有導熱硅膠，所述導熱硅膠的頂部固定連接有IGBT模塊，所述散熱底座的頂部固定連接有定位框，所述定位框內腔的兩側均固定連接有殼體，所述殼體的內腔活動連接有限位板，所述限位板遠離定位框的一側固定連接有彈簧，所述限位板遠離彈簧的一側固定連接有定位桿，所述定位框的兩側均開設有第一定位孔，所述散熱底座的頂部活動連接有外罩，所述外罩內腔的兩側均固定連接有溫度傳感器，所述外罩的外表面固定連接有隔熱板，所述外罩的兩側和隔熱板的兩側之間均開設有第二定位孔，所述定位桿遠離限位板的一端穿過第一定位孔并延伸至第二定位孔的內腔，所述外罩的外表面固定連接有第一散熱板，所述第一散熱板遠離外罩的一側貫穿至隔熱板的外側，所述外罩內腔的頂部固定連接有散熱風扇，所述散熱風扇的頂部連通有進風管，所述進風管的頂部依次貫穿外罩和隔熱板并延伸至隔熱板的頂部，所述進風管內腔的底部固定連接有第一過濾網，所述第一過濾網的頂部放置有固體干燥劑，所述進風管的頂部活動連接有框架，所述框架的底部固定連接有螺紋管，所述螺紋管位于進風管的內腔，所述螺紋管和框架的內腔之間固定連接有第二過濾網。

優選的，所述第一散熱板的數量為若干個，所述第一散熱板的一側開設有第一散熱孔。

優選的，所述散熱底座的底部固定連接有第二散熱板，所述第二散熱板的一側開設有第二散熱孔，所述第二散熱板的數量為若干個。

優選的，所述IGBT模塊的前后兩側均設置有蛇形管，所述蛇形管的兩端均與散熱底座連通。

優選的，所述殼體的底部與散熱底座固定連接，所述螺紋管的外表面與進風管的連接處螺紋連接。

優選的，所述定位框的外表面與外罩的內壁接觸，所述隔熱板由玻璃纖維制成。

與現有技術相比，本發明的有益效果如下：