[發明專利]DRAM的測試方法、裝置、計算機可讀存儲介質及電子設備

有效

• 申請號: 202010660417.6
• 申請日: 2020-07-10
• 公開（公告）號: CN111863111B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 劉沖;李振華
• 申請（專利權）人: 深圳佰維存儲科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 卜科武

本發明公開一種DRAM的測試方法、裝置、計算機可讀存儲介質及電子設備，對DRAM進行測試時，對DRAM的每一第一預設讀寫單元跳躍選取第二預設讀寫單元并寫入數據直至待測試的DRAM的存儲陣列均寫入數據為止，在進行數據讀取時，按照與數據寫入對應的順序以及對應的數據進行跳躍讀取數據，根據跳躍寫入的數據結果以及對應的跳躍讀取的數據結果來得到DRAM的測試結果；本發明實施例通過跳躍讀寫的方式很好的模擬用戶實際的使用環境，可以更好地檢測出DRAM中的weak?cell和故障單元，覆蓋到現有常規算法檢測不到的問題，能夠提高故障覆蓋率。

技術領域

本發明涉及DRAM芯片測試領域，尤其涉及一種DRAM的測試方法、裝置、計算機可讀存儲介質及電子設備。

背景技術

DRAM(Dynamic?Random?Access?Memory，動態隨機存取存儲器)是直接與SOC(System-On-a-Chip，片上系統)進行通信的高速芯片，數據都是先通過DRAM芯片再傳給SOC，所以DRAM的好壞與整個系統的穩定性息息相關。

為了保證DRAM芯片的可靠性，通常需要對其進行測試。目前很多對DRAM芯片的測試都是按照順序一行一行地進行操作，沿升序方向對DRAM內部的存儲單元依次進行測試。這種測試方式雖然對DRAM的所有地址進行了遍歷，但是與用戶實際對DRAM的使用過程并不匹配。用戶在實際使用過程中，不可能嚴格地逐行逐列并且升序地依次對每個存儲單元進行讀寫。所以現有對DRAM的測試方法無法模擬用戶實際使用環境，會存在一些檢測漏洞，無法全面檢測出DRAM中存在的weak?cell和故障單元。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種DRAM的測試方法、裝置、計算機可讀存儲介質和電子設備，能夠模擬用戶實際的使用環境，提高故障覆蓋率。

為了解決上述技術問題，本發明采用的一種技術方案為：

一種DRAM的測試方法，包括步驟：

在待測試的DRAM的每一第一預設讀寫單元上跳躍選取第二預設讀寫單元并寫入數據直至所述待測試的DRAM的存儲陣列均寫入數據，得到數據寫入結果；

根據數據寫入過程中每一第一預設讀寫單元上選取的第二預設讀寫單元及對應寫入的數據，從所述待測試的DRAM的每一對應的第一預設讀寫單元上依次選取對應的第二預設讀寫單元并讀取對應的數據，直至所述待測試的DRAM的存儲陣列的數據均被讀取，得到數據讀取結果；

根據所述數據寫入結果和數據讀取結果，得到所述待測試的DRAM的測試結果。

為了解決上述技術問題，本發明采用的另一種技術方案為：

一種DRAM的測試裝置，包括：

數據寫入模塊，用于在待測試的DRAM的每一第一預設讀寫單元上跳躍選取第二預設讀寫單元并寫入數據直至所述待測試的DRAM的存儲陣列均寫入數據，得到數據寫入結果；

數據讀取模塊，用于根據數據寫入過程中每一第一預設讀寫單元上選取的第二預設讀寫單元及對應寫入的數據，從所述待測試的DRAM的每一對應的第一預設讀寫單元上依次選取對應的第二預設讀寫單元并讀取對應的數據，直至所述待測試的DRAM的存儲陣列的數據均被讀取，得到數據讀取結果；

比較模塊，用于根據所述數據寫入結果和數據讀取結果，得到所述待測試的DRAM的測試結果。

為了解決上述技術問題，本發明采用的另一種技術方案為：

一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述DRAM的測試方法中的各個步驟。

為了解決上述技術問題，本發明采用的另一種技術方案為：