[發明專利]DRAM的測試方法、裝置、計算機可讀存儲介質及電子設備

有效

• 申請號: 202010660417.6
• 申請日: 2020-07-10
• 公開（公告）號: CN111863111B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 劉沖;李振華
• 申請（專利權）人: 深圳佰維存儲科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 卜科武

1.一種DRAM的測試方法，其特征在于，包括步驟：

在待測試的DRAM的每一第一預設讀寫單元上跳躍選取第二預設讀寫單元并寫入數據直至所述待測試的DRAM的存儲陣列均寫入數據，得到數據寫入結果；

根據數據寫入過程中每一第一預設讀寫單元上選取的第二預設讀寫單元及對應寫入的數據，從所述待測試的DRAM的每一對應的第一預設讀寫單元上依次選取對應的第二預設讀寫單元并讀取對應的數據，直至所述待測試的DRAM的存儲陣列的數據均被讀取，得到數據讀取結果；

根據所述數據寫入結果和數據讀取結果，得到所述待測試的DRAM的測試結果；

所述第一預設讀寫單元為行，所述第二預設讀寫單元為列；

所述在待測試的DRAM的每一第一預設讀寫單元上跳躍選取第二預設讀寫單元并寫入數據直至所述待測試的DRAM的存儲陣列均寫入數據包括：

在所述待測試的DRAM每一個bank中的每一行中：

選取所述行的第i列并寫入數據，然后跳躍選取所述行的第max－i+1列并寫入數據，max表示所述行包含的列的數量，i的初始值為1；

令i＝i+1，并返回執行所述選取所述行的第i列并寫入數據的步驟直至所述行的每一列均寫入數據；

或，

所述第一預設讀寫單元為列，所述第二預設讀寫單元為行；

所述在待測試的DRAM的每一第一預設讀寫單元上跳躍選取第二預設讀寫單元并寫入數據直至所述待測試的DRAM的存儲陣列均寫入數據包括：

在所述待測試的DRAM每一個bank中的每一列中：

選取所述列的第i行并寫入數據，然后跳躍選取所述列的第max－i+1行并寫入數據，max表示所述列包含的行的數量，i的初始值為1；

令i＝i+1，并返回執行所述選取所述列的第i行并寫入數據的步驟直至所述列的每一行均寫入數據；

或，

所述第一預設讀寫單元為行列，所述第二預設讀寫單元為bank；

所述在待測試的DRAM的每一第一預設讀寫單元上跳躍選取第二預設讀寫單元并寫入數據直至所述待測試的DRAM的存儲陣列均寫入數據包括：

在所述待測試的DRAM的每一行列中：

選取第i個bank的所述行列并寫入數據，然后跳躍選取第max－i+1個bank的所述行列并寫入數據，max表示所述待測試的DRAM的bank的數量，i的初始值為1；

令i＝i+1，并返回執行所述選取第i個bank的所述行列并寫入數據的步驟直至每一所述bank的所述行列均寫入數據。

2.根據權利要求1所述的一種DRAM的測試方法，其特征在于，根據所述第一預設讀寫單元的編號按照從小到大的順序依次選取所述待測試的DRAM中的每一第一預設讀寫單元；或者，

隨機選取所述待測試的DRAM中的第一預設讀寫單元直至遍歷完所述待測試的DRAM中的所有第一預設讀寫單元；或者，

跳躍選取所述待測試的DRAM中的第一預設讀寫單元直至遍歷完所述待測試的DRAM中的所有第一預設讀寫單元。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的一種DRAM的測試方法，其特征在于，在數據寫入過程中，相鄰的第二預設讀寫單元寫入的數據相反。

4.根據權利要求3所述的一種DRAM的測試方法，其特征在于，判斷所述第一預設讀寫單元對應的第二預設讀寫單元的數量的奇偶，若為奇數，則每一個第一預設讀寫單元對應的第i個第二預設讀寫單元寫入的數據和第max－i+1個第二預設讀寫單元寫入的數據相同；若為偶數，則每一個第一預設讀寫單元對應的第i個第二預設讀寫單元寫入的數據和第max－i+1個第二預設讀寫單元寫入的數據相反。