[發明專利]半導體封裝結構和其制造方法

在審

• 申請號: 202010655249.1
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN112242361A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 劉瑋瑋;翁輝翔;賴律名
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體封裝結構，其包括：

電子設備，所述電子設備具有鄰近于第一表面的暴露區；

壩，所述壩圍繞所述電子設備的所述暴露區并安置在第一表面上，所述壩包括遠離所述第一表面的上表面；

包封料，所述包封料包封所述電子設備的所述第一表面，所述包封料暴露所述電子設備的所述暴露區，

其中所述壩的表面從所述包封料的上表面縮回。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述暴露區包括可移動部分。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述可移動部分包括膜。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其進一步包括導電端，所述導電端位于所述第一表面上，所述導電端電連接到所述暴露區。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中從俯視圖角度看，所述暴露區包括圓形形狀。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其中從俯視圖角度看，所述壩包括圓形形狀。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述壩未投射于所述暴露區之上。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中從橫截面角度看，所述壩包括圓角。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其進一步包括導電通孔，所述導電通孔位于所述包封料中并且與所述暴露區電耦接。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其進一步包括導電通孔，所述導電通孔位于所述電子設備中并且與所述暴露區電耦接。

11.一種半導體封裝結構，其包括：

電子設備，所述電子設備具有鄰近于第一表面的暴露區；以及

壩，所述壩圍繞所述電子設備的所述暴露區并安置在所述第一表面上，所述壩包括覆蓋第二電介質的第一電介質。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝結構，其中所述第一電介質與所述第二電介質的上表面接觸。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝結構，其中所述第一電介質進一步與所述第二電介質的側表面接觸。

14.根據權利要求11所述的半導體封裝結構，其中所述第一電介質包括環氧樹脂基材料。

15.根據權利要求11所述的半導體封裝結構，其中所述第二電介質包括聚酰亞胺或聚苯并噁唑。

16.根據權利要求11所述的半導體封裝結構，其進一步包括包封料，所述包封料包封所述電子設備和所述壩，所述包封料包括上表面，所述上表面的一部分基本上高于所述壩的上表面。

17.一種用于制造半導體封裝結構的方法，所述方法包括：

在電子設備的第一表面之上圖案化鈍化層；

在所述第一表面上鄰近于所述鈍化層圖案化壩；以及

去除所述鈍化層的至少一部分并暴露所述電子設備的所述第一表面。

18.根據權利要求17所述的方法，其中去除所述鈍化層的至少一部分包括執行定向蝕刻。

19.根據權利要求17所述的方法，其進一步包括包封所述電子設備并在所述鈍化層之上形成開放腔。

20.根據權利要求17所述的方法，其中去除所述鈍化層的至少一部分進一步包括去除所述壩的一部分。