[發(fā)明專利]包括層疊的半導體芯片的半導體封裝及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010649904.2
• 申請日: 2020-07-08
• 公開（公告）號: CN112599498A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 李采城;金鐘薰;崔福奎;成基俊
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/31;H01L23/498;H01L25/065;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體封裝，該半導體封裝包括：

芯片層疊物，該芯片層疊物包括在垂直方向上層疊的多個半導體芯片；

多個垂直互連器，各個垂直互連器具有分別連接到所述多個半導體芯片的第一端，并且在所述垂直方向上延伸；

模制層，該模制層覆蓋所述芯片層疊物和所述垂直互連器，同時暴露所述垂直互連器的第二端；

多個著陸焊盤，多個所述著陸焊盤形成在所述模制層的一個表面上方以分別與所述垂直互連器的所述第二端接觸，其中，多個所述著陸焊盤是導電的并且分別與所述垂直互連器的所述第一端交疊；以及

封裝再分布層，該封裝再分布層通過所述著陸焊盤電連接到所述垂直互連器。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，多個所述著陸焊盤的間距等于多個所述垂直互連器的所述第一端的間距。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述著陸焊盤的中心與所述垂直互連器的所述第一端的中心重合。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述垂直互連器的所述第二端的中心不與各個所述著陸焊盤的中心或所述垂直互連器的各個第一端的中心重合。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述著陸焊盤的寬度大于所述垂直互連器的寬度。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，各個所述半導體芯片包括連接到所述垂直互連器的所述第一端的焊盤，并且

所述著陸焊盤的寬度等于或大于所述焊盤的寬度。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，各個所述半導體芯片包括連接到所述垂直互連器的所述第一端的焊盤，

多個所述著陸焊盤的間距等于多個所述垂直互連器的所述第一端的間距和多個所述焊盤的間距，并且

所述著陸焊盤的寬度的值小于所述間距。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述封裝再分布層包括：

第一再分布介電層，該第一再分布介電層形成在所述模制層的所述一個表面上以覆蓋所述著陸焊盤，并且具有分別暴露所述著陸焊盤的多個開口；

多個再分布導電層，多個所述再分布導電層形成在所述第一再分布介電層上，并且各個所述再分布導電層包括具有相對小的寬度的線部分以及具有相對大的寬度并且與各個所述開口交疊的焊盤部分；以及

第二再分布介電層，該第二再分布介電層覆蓋所述第一再分布介電層和所述再分布導電層。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝，其中，多個所述著陸焊盤的間距、多個所述焊盤部分的間距、多個所述垂直互連器的所述第一端的間距以及多個所述開口的間距彼此相等。

10.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝，其中，選自所述著陸焊盤的中心、所述焊盤部分的中心、所述垂直互連器的所述第一端的中心和所述開口的中心中的至少兩個彼此重合。

11.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述垂直互連器的所述第二端的一部分接觸各個所述著陸焊盤，并且

所述垂直互連器的所述第二端的所述部分的寬度是所述垂直互連器的寬度的至少2/3。

12.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述垂直互連器包括接合引線。

13.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝，其中，所述模制層的所述一個表面的粗糙度大于所述第一再分布介電層的面向所述再分布導電層的一個表面的粗糙度。

14.根據(jù)權利要求13所述的半導體封裝，其中，所述著陸焊盤與所述模制層的所述一個表面直接接觸，并且

所述再分布導電層與所述第一再分布介電層的所述一個表面直接接觸。