[發明專利]埋入式電路板及其制備方法有效
| 申請號： | 202010645933.1 | 申請日： | 2020-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN112203415B | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發明（設計）人： | 黃立湘;王澤東;繆樺 | 申請（專利權）人： | 深南電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/18 | 分類號： | H05K1/18;H05K3/46;H05K1/02;H05K1/03 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 鐘子敏 |
| 地址： | 518117 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 埋入 電路板 及其 制備 方法 | ||
1.一種埋入式電路板，其特征在于，包括：
交替層疊設置的若干層子體和若干介質層，其中至少一層所述子體開設有槽體；
電子器件，嵌設在所述槽體內；
其中，鄰近所述電子器件的所述介質層的熱膨脹系數小于遠離所述電子器件的所述介質層的熱膨脹系數；
封裝體，包覆在所述電子器件外周，以使所述電子器件與所述槽體的側壁間隔設置，所述封裝體的熱膨脹系數小于或等于相鄰所述介質層的熱膨脹系數；其中，所述封裝體內設置有導電結構，且所述導電結構用于電連接所述電子器件；
其中，所述封裝體的熱膨脹系數范圍為3-12，所述封裝體的熱膨脹系數等于嵌設有所述電子器件的所述子體的熱膨脹系數。
2.根據權利要求1所述的埋入式電路板，其特征在于，
所述封裝體與相鄰所述介質層的熱膨脹系數之間的差值為0-5。
3.根據權利要求1所述的埋入式電路板，其特征在于，
若干層所述介質層的熱膨脹系數沿遠離所述電子器件的方向逐漸增加，且沿遠離所述電子器件的方向的相鄰兩層所述介質層的熱膨脹系數之間的差值為2-5。
4.根據權利要求1所述的埋入式電路板，所述介質層的熱膨脹系數范圍為1-27。
5.根據權利要求1所述的埋入式電路板，其特征在于，
所述介質層和所述封裝體的材料為樹脂、molding硅膠中的一種絕緣材料或任意組合。
6.根據權利要求1所述的埋入式電路板，其特征在于，所述埋入式電路板還包括：
第一線路層和第二線路層，且所述第一線路層、所述第二線路層分別位于電路板的相背兩外側；
其中，所述電子器件具有連接端子，所述電子器件的連接端子與所述第一線路層和/或所述第二線路層電連接。
7.一種埋入式電路板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供若干層子體，其中至少一層所述子體開設有槽體；
將電子器件嵌設到所述槽體內；
利用封裝體包覆在所述電子器件外周，以使所述電子器件與所述槽體的側壁間隔設置；其中，所述封裝體內設置有導電結構，且所述導電結構用于電連接所述電子器件；
將若干層所述子體與若干介質層交替層疊設置，其中，鄰近所述電子器件的所述介質層的熱膨脹系數小于遠離所述電子器件的所述介質層的熱膨脹系數；
壓合各層所述子體與所述介質層以固定所述子體和所述電子器件；
其中，所述封裝體的熱膨脹系數小于或等于相鄰所述介質層的熱膨脹系數；所述封裝體的熱膨脹系數范圍為3-12，所述封裝體的熱膨脹系數等于嵌設有所述電子器件的所述子體的熱膨脹系數。
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