[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202010645903.0
• 申請日: 2020-07-07
• 公開（公告）號: CN112420701A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 于殿圣;崔壬汾;廖忠志;傅英哲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/11
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

在方法的一些實施例中，圖案化開口包括：將輻射束投影到第二介電層，輻射束具有開口的圖案。在方法的一些實施例中，單一圖案化光刻工藝是極紫外(EUV)光刻工藝。在方法的一些實施例中，利用導電材料填充開口包括：將導電材料鍍在開口中；以及平坦化導電材料和第二介電層以由導電材料的剩余部分形成第一金屬線，在平坦化之后，第一金屬線和第二介電層的頂表面是平坦的。本發明的實施例還涉及半導體器件及其形成方法。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體器件及其形成方法。

背景技術

通常，有源器件和無源器件被形成在半導體襯底上和半導體襯底中。一旦被形成，這些有源器件和無源器件可以使用一系列導電和絕緣層彼此連接以及連接到外部器件。這些層可以幫助互連多種有源器件和無源器件以及通過諸如接觸焊盤提供與外部器件的電連接。

為了在這些層內形成這些互連，可以采用一系列光刻、蝕刻、沉積和平坦化技術。然而，隨著有源和無源器件的尺寸已經減小，這樣技術的使用已經變得更加復雜，導致也需要減小互連件的尺寸。因此，需要改進互連件的形成和結構，以便使得整個器件更小、更便宜和更有效，同時具有更少的缺陷或問題。

發明內容

本發明的實施例提供了一種半導體器件，包括：襯底，具有第一p型阱區、第二p型阱區和設置在第一p型阱區和第二p型阱區之間的n型阱區；第一上拉晶體管，位于n型阱區中，第一上拉晶體管包括第一源極/漏極區；第二上拉晶體管，位于n型阱區中，第二上拉晶體管包括第二源極/漏極區；以及第一導電部件，電連接至電源電壓節點，第一導電部件具有主部分、從主部分的第一側延伸的第一焊盤部分、和從主部分的第二側延伸的第二焊盤部分，第一焊盤部分位于第一上拉晶體管的第一源極/漏極區上方并且電連接至第一上拉晶體管的第一源極/漏極區，第二焊盤部分位于第二上拉晶體管的第二源極/漏極區上方并且電連接至第二上拉晶體管的第二源極/漏極區，第一焊盤部分和第二焊盤部分中的每一個均具有第一寬度，主部分具有第二寬度，第一寬度小于第二寬度。

本發明的另一實施例提供了一種半導體器件，包括：襯底，具有第一p型阱區、第二p型阱區和設置在第一p型阱區和第二p型阱區之間的n型阱區；第一上拉晶體管，位于n型阱區中，第一上拉晶體管包括第一源極/漏極區；第一下拉晶體管，位于第一p型阱區中，第一下拉晶體管包括第二源極/漏極區；第一通孔，電連接至第一上拉晶體管的第一源極/漏極區，第一通孔具有第一寬度；以及第二通孔，電連接至第一下拉晶體管的第二源極/漏極區，第二通孔具有第二寬度，第一寬度大于第二寬度，第一寬度和第二寬度中的每一個是沿著同一方向測量，

其中，第一通孔與第二通孔間隔開第一距離，第一距離在70nm至90nm的范圍內。

本發明的又一實施例提供了一種形成半導體器件的方法，包括：形成從襯底的n型阱區延伸的第一鰭；在第一鰭中生長第一源極/漏極區；形成從襯底的n型阱區延伸的第二鰭；在第二鰭中生長第二源極/漏極區；在第一源極/漏極區和第二源極/漏極區上方沉積第一介電層；形成穿過第一介電層的第一通孔以電耦合第一源極/漏極區，第一通孔具有在15nm至20nm的范圍內的寬度；形成穿過第一介電層的第二通孔以電耦合第二源極/漏極區，第二通孔具有在15nm至20nm的范圍內的寬度；在第一介電層、第一通孔和第二通孔上方沉積第二介電層；利用單一圖案化光刻工藝在第二介電層中圖案化開口，開口具有主部分、從主部分的第一側延伸的第一突出部分和從主部分的第二側延伸的第二突出部分，開口的第一突出部分和主部分暴露第一通孔，開口的第二突出部分和主部分暴露第二通孔；以及利用導電材料填充開口，以形成物理耦合和電氣耦合至第一通孔和第二通孔的第一金屬線。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳地理解本發明的各個方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1是根據一些實施例的存儲器的框圖。