[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202010645903.0
• 申請日: 2020-07-07
• 公開（公告）號: CN112420701A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 于殿圣;崔壬汾;廖忠志;傅英哲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/11
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

襯底，具有第一p型阱區、第二p型阱區和設置在所述第一p型阱區和所述第二p型阱區之間的n型阱區；

第一上拉晶體管，位于所述n型阱區中，所述第一上拉晶體管包括第一源極/漏極區；

第二上拉晶體管，位于所述n型阱區中，所述第二上拉晶體管包括第二源極/漏極區；以及

第一導電部件，電連接至電源電壓節點，所述第一導電部件具有主部分、從所述主部分的第一側延伸的第一焊盤部分、和從所述主部分的第二側延伸的第二焊盤部分，所述第一焊盤部分位于所述第一上拉晶體管的所述第一源極/漏極區上方并且電連接至所述第一上拉晶體管的所述第一源極/漏極區，所述第二焊盤部分位于所述第二上拉晶體管的所述第二源極/漏極區上方并且電連接至所述第二上拉晶體管的所述第二源極/漏極區，所述第一焊盤部分和所述第二焊盤部分中的每一個均具有第一寬度，所述主部分具有第二寬度，所述第一寬度小于所述第二寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一傳輸門晶體管，位于所述第一P型阱區中，所述第一傳輸門晶體管包括第三源極/漏極區；

第二傳輸門晶體管，位于所述第二P型阱區中，所述第二傳輸門晶體管包括第四源極/漏極區；

第二導電部件，位于所述第一傳輸門晶體管的所述第三源極/漏極區上方并且電連接至所述第一傳輸門晶體管的所述第三源極/漏極區；

第三導電部件，位于所述第二傳輸門晶體管的所述第四源極/漏極區上方并且電連接至所述第二傳輸門晶體管的所述第四源極/漏極區；以及

第一介電層，圍繞所述第一導電部件、所述第二導電部件和所述第三導電部件中的每一個。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第一傳輸門晶體管還包括第一柵極，其中，所述第二傳輸門晶體管還包括第二柵極，并且所述半導體器件還包括：

第四導電部件，位于所述第一柵極上方并且電連接至所述第一柵極；

第五導電部件，位于所述第二柵極上方并且電連接至所述第二柵極；

第一下拉晶體管，位于所述第一P型阱區中，所述第一下拉晶體管包括第五源極/漏極區；

第二下拉晶體管，位于所述第二P型阱區中，所述第二下拉晶體管包括第六源極/漏極區；

第六導電部件，電連接至地電壓節點，所述第六導電部件位于所述第一下拉晶體管的所述第五源極/漏極區上方并且電連接至所述第一下拉晶體管的所述第五源極/漏極區；

第七導電部件，電連接至所述地電壓節點，所述第七導電部件位于所述第二下拉晶體管的所述第六源極/漏極區上方并且電連接至所述第二下拉晶體管的所述第六源極/漏極區；以及

第二介電層，圍繞所述第四導電部件、所述第五導電部件、所述第六導電部件和所述第七導電部件中的每一個。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括：

第一通孔，將所述第一導電部件電連接至所述第一源極/漏極區，所述第一通孔具有第三寬度；以及

第二通孔，將所述第六導電部件電連接至所述第五源極/漏極區，所述第二通孔具有第四寬度，所述第三寬度大于所述第四寬度。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一通孔與所述第二通孔間隔開第一距離，所述第一距離在70nm至90nm的范圍內。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括：

行解碼器，電連接至所述第四導電部件和所述第五導電部件中的每一個。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：

列解碼器，電連接至所述第二導電部件和所述第三導電部件中的每一個。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述第二導電部件和所述第三導電部件中的每一個均具有主部分、焊盤部分和外圍部分，所述焊盤部分將所述主部分連接至所述外圍部分，所述外圍部分連接至所述列解碼器，其中，所述主部分、所述焊盤部分和所述外圍部分中的每一個均設置在所述第一介電層中。