[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010645872.9
• 申請日: 2020-07-07
• 公開（公告）號: CN112447673A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 黃則堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

本公開提供一種半導體元件及該半導體元件的制備方法。該半導體元件具有一基底；一低層次位元線，位于該基底上；一高層次位元線底接觸點，位于該基底上，并鄰近該低層次位元線設置；以及多個第一氣隙，鄰近該低層次位元線設置。

技術領域

本公開主張2019/09/05申請的美國正式申請案第16/561,538號的優先權及益處，該美國正式申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。

背景技術

半導體元件是使用在不同的電子應用，例如個人電腦、手機、數碼相機，或其他電子設備。半導體元件的尺寸是逐漸地變小，以符合計算能力所逐漸增加的需求。然而，在尺寸變小的工藝期間，是增加不同的問題，且影響到最終電子特性、品質以及良率。因此，仍然持續著在達到改善品質、良率以及可靠度方面的挑戰。

上文的“現有技術”說明僅是提供背景技術，并未承認上文的“現有技術”說明公開本公開的標的，不構成本公開的現有技術，且上文的“現有技術”的任何說明均不應作為本公開的任一部分。

發明內容

本公開的一實施例提供一種半導體元件，包括：一基底；一低層次位元線，位于該基底上；一高層次位元線底接觸點，位于該基底上，并鄰近該低層次位元線設置；以及多個第一氣隙，鄰近該低層次位元線設置。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括多個第二氣隙，鄰近該高層次位元線底接觸點設置。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一低層次位元線接觸點，位于該低層次位元線下。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一高層次位元線，位于該高層次位元線底接觸點上。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括多個間隙子，位于該低層次位元線與所述多個第一氣隙之間。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括多個間隙子，位于該高層次位元線底接觸點與所述多個第二氣隙之間。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一高層次位元線頂接觸點，位于該高層次位元線與該高層次位元線底接觸點之間。

在本公開的一些實施例中，該高層次位元線頂接觸點的一頂表面的一寬度，大于該高層次位元線頂接觸點的一底部的一寬度。

在本公開的一些實施例中，該高層次位元線頂接觸點的一底部的一寬度，小于該高層次位元線底接觸點的一頂表面的一寬度。

在本公開的一些實施例中，該高層次位元線非對稱地位于該高層次位元線頂接觸點上。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括多個第一間隙子，鄰近該低層次位元線接觸點設置。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括多個第二間隙子，位于該多個第一間隙子與該低層次位元線接觸點之間。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一襯墊，位于該低層次位元線與所述多個第一氣隙之間。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一襯墊，位于該高層次位元線底接觸點與所述多個第二氣隙之間。

本公開的另一實施例提供一種半導體元件的制備方法。該制備方法包括：提供一基底；在該基底上形成一低層次位元線，并在該基底上與在鄰近該低層次位元線處形成一高層次位元線底接觸點；以及在鄰近該低層次位元線處形成多個第一氣隙。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件的制備方法還包括：在鄰近該高層次位元線底接觸點處形成多個第二氣隙。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件的制備方法還包括：在該高層次位元線底接觸點上形成一高層次位元線。