[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010645872.9
• 申請(qǐng)日: 2020-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN112447673A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃則堯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/538
• 分類號(hào): H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強(qiáng);黃艷

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

一基底；

一低層次位元線，位于該基底上；

一高層次位元線底接觸點(diǎn)，位于該基底上，并鄰近該低層次位元線設(shè)置；以及

多個(gè)第一氣隙，鄰近該低層次位元線設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括多個(gè)第二氣隙，鄰近該高層次位元線底接觸點(diǎn)設(shè)置。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，還包括一低層次位元線接觸點(diǎn)，位于該低層次位元線下。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，還包括一高層次位元線，位于該高層次位元線底接觸點(diǎn)上。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括多個(gè)間隙子，位于該低層次位元線與所述多個(gè)第一氣隙之間。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，還包括多個(gè)間隙子，位于該高層次位元線底接觸點(diǎn)與所述多個(gè)第二氣隙之間。

7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，還包括一高層次位元線頂接觸點(diǎn)，位于該高層次位元線與該高層次位元線底接觸點(diǎn)之間。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該高層次位元線頂接觸點(diǎn)的一頂表面的一寬度，大于該高層次位元線頂接觸點(diǎn)的一底部的一寬度。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該高層次位元線頂接觸點(diǎn)的一底部的一寬度，小于該高層次位元線底接觸點(diǎn)的一頂表面的一寬度。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該高層次位元線非對(duì)稱地位于該高層次位元線頂接觸點(diǎn)上。

11.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，還包括多個(gè)第一間隙子，鄰近該低層次位元線接觸點(diǎn)設(shè)置。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，還包括多個(gè)第二間隙子，位于該多個(gè)第一間隙子與該低層次位元線接觸點(diǎn)之間。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括一襯墊，位于該低層次位元線與所述多個(gè)第一氣隙之間。

14.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，還包括一襯墊，位于該高層次位元線底接觸點(diǎn)與所述多個(gè)第二氣隙之間。

15.一種半導(dǎo)體元件的制備方法，包括：

提供一基底；

在該基底上形成一低層次位元線，并在該基底上與在鄰近該低層次位元線處形成一高層次位元線底接觸點(diǎn)；以及

在鄰近該低層次位元線處形成多個(gè)第一氣隙。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括在鄰近該高層次位元線底接觸點(diǎn)處形成多個(gè)第二氣隙。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括在該高層次位元線底接觸點(diǎn)上形成一高層次位元線。

18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括在該高層次位元線與該高層次位元線底接觸點(diǎn)之間形成一高層次位元線頂接觸點(diǎn)。

19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中該高層次位元線頂接觸點(diǎn)的一頂表面的一寬度，大于該高層次位元線頂接觸點(diǎn)的一底部的一寬度。

20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中該高層次位元線非對(duì)稱地位于該高層次位元線頂接觸點(diǎn)上。