[發(fā)明專利]半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010645608.5
• 申請日: 2020-07-07
• 公開（公告）號: CN113035881A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金鎮(zhèn)河
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種制造半導體存儲器裝置的方法，該方法包括以下步驟：

形成交替地層疊在源極結(jié)構(gòu)上的多個犧牲圖案和多個絕緣圖案；

形成穿透所述犧牲圖案和所述絕緣圖案的多個溝道結(jié)構(gòu)；

形成穿透所述犧牲圖案和所述絕緣圖案的第一溝槽和第二溝槽；

通過所述第一溝槽和所述第二溝槽來利用多個導電圖案替換所述犧牲圖案；以及

形成穿透多個所述導電圖案中的一些和多個所述絕緣圖案中的一些并位于所述第一溝槽和所述第二溝槽之間的多個柵極隔離層，

其中，多個所述絕緣圖案包括第二絕緣圖案以及在所述第二絕緣圖案與所述源極結(jié)構(gòu)之間的多個第一絕緣圖案，

其中，所述柵極隔離層的最下部位于所述第二絕緣圖案中，

其中，所述第二絕緣圖案的厚度比所述第一絕緣圖案的厚度厚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，多個所述柵極隔離層包括第一柵極隔離層和第二柵極隔離層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，多個所述絕緣圖案還包括被所述柵極隔離層穿透的第三絕緣圖案，

其中，所述第三絕緣圖案的厚度等于所述第二絕緣圖案的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，多個所述絕緣圖案還包括被所述柵極隔離層穿透的第三絕緣圖案，

其中，所述第二絕緣圖案的厚度比所述第三絕緣圖案的厚度厚。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第三絕緣圖案的厚度分別與多個所述第一絕緣圖案的厚度相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：

在所述第一溝槽中形成第一狹縫結(jié)構(gòu)；以及

在所述第二溝槽中形成第二狹縫結(jié)構(gòu)，

其中，所述第一狹縫結(jié)構(gòu)和所述第二狹縫結(jié)構(gòu)中的至少一個包括公共源極線。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一狹縫結(jié)構(gòu)和所述第二狹縫結(jié)構(gòu)連接到所述源極結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述柵極隔離層的最下部位于所述第二絕緣圖案的上表面和下表面之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，多個所述溝道結(jié)構(gòu)中的至少一個位于彼此相鄰的多個所述柵極隔離層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述柵極隔離層的最下部的水平比所述第一溝槽和所述第二溝槽的底表面的水平高。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，多個所述絕緣圖案還包括多個所述絕緣圖案當中的位于最上部的第五絕緣圖案，

其中，所述第五絕緣圖案的厚度比所述第二絕緣圖案的厚度厚。

12.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)包括交替地層疊的多個導電圖案和多個絕緣圖案；

彼此間隔開的第一狹縫結(jié)構(gòu)和第二狹縫結(jié)構(gòu)，并且所述層疊結(jié)構(gòu)插置在所述第一狹縫結(jié)構(gòu)和所述第二狹縫結(jié)構(gòu)之間；

第一柵極隔離層，該第一柵極隔離層穿透所述層疊結(jié)構(gòu)的一部分，該第一柵極隔離層設(shè)置在所述第一狹縫結(jié)構(gòu)和所述第二狹縫結(jié)構(gòu)之間；

第二柵極隔離層，該第二柵極隔離層穿透所述層疊結(jié)構(gòu)的一部分，該第二柵極隔離層設(shè)置在所述第一狹縫結(jié)構(gòu)和所述第二狹縫結(jié)構(gòu)之間；以及

第一溝道結(jié)構(gòu)，所述第一溝道結(jié)構(gòu)穿透所述層疊結(jié)構(gòu)，所述第一溝道結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一柵極隔離層和所述第二柵極隔離層之間，

其中，多個所述絕緣圖案包括第二絕緣圖案和多個第一絕緣圖案，該第二絕緣圖案與所述第一柵極隔離層和所述第二柵極隔離層的最下部接觸，多個所述第一絕緣圖案與所述第一柵極隔離層和所述第二柵極隔離層間隔開，

其中，所述第二絕緣圖案的厚度比所述第一絕緣圖案的厚度厚。