[發明專利]半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010645608.5
• 申請日: 2020-07-07
• 公開（公告）號: CN113035881A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 金鎮河
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法。一種制造半導體存儲器裝置的方法包括以下步驟：形成交替地層疊在源極結構上的多個犧牲圖案和多個絕緣圖案；形成穿透犧牲圖案和絕緣圖案的溝道結構；形成穿透犧牲圖案和絕緣圖案的第一溝槽和第二溝槽；通過第一溝槽和第二溝槽利用多個導電圖案替換犧牲圖案；以及形成穿透一些導電圖案和一些絕緣圖案并位于第一溝槽和第二溝槽之間的柵極隔離層。絕緣圖案包括第二絕緣圖案以及在第二絕緣圖案與源極結構之間的第一絕緣圖案。柵極隔離層的最下部位于第二絕緣圖案中。第二絕緣圖案具有比第一絕緣圖案厚的厚度。

技術領域

本公開總體上涉及半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法，更具體地，涉及一種三維半導體存儲器裝置以及該三維半導體存儲器裝置的制造方法。

背景技術

半導體存儲器裝置包括能夠存儲數據的存儲器單元。

根據存儲數據的方法和保持數據的方法，半導體存儲器裝置可被分類為易失性半導體存儲器裝置和非易失性半導體存儲器裝置。易失性半導體存儲器裝置是當供電中斷時所存儲的數據消失的存儲器裝置，非易失性半導體存儲器裝置是即使當供電中斷時也保持所存儲的數據的存儲器裝置。

近來，隨著越來越多地使用便攜式電子裝置，已越來越多地使用非易失性半導體存儲器裝置，并且需要半導體存儲器裝置的高集成度和大容量以實現便攜性和大容量。為了實現便攜性和大容量，已提出了三維半導體存儲器裝置。

發明內容

根據本公開的一方面，提供了一種制造半導體存儲器裝置的方法，該方法可包括以下步驟：形成交替地層疊在源極結構上的多個犧牲圖案和多個絕緣圖案；形成穿透犧牲圖案和絕緣圖案的多個溝道結構；形成穿透犧牲圖案和絕緣圖案的第一溝槽和第二溝槽；通過第一溝槽和第二溝槽來利用多個導電圖案替換犧牲圖案；以及形成穿透一些導電圖案和一些絕緣圖案并位于第一溝槽和第二溝槽之間的柵極隔離層，其中，多個絕緣圖案包括第二絕緣圖案以及在第二絕緣圖案與源極結構之間的第一絕緣圖案，其中，柵極隔離層的最下部位于第二絕緣圖案中，其中，第二絕緣圖案的厚度比第一絕緣圖案的厚度厚。

根據本公開的另一方面，提供了一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置可包括：層疊結構，該層疊結構包括交替地層疊的多個導電圖案和多個絕緣圖案；彼此間隔開的第一狹縫結構和第二狹縫結構，并且層疊結構插置在第一狹縫結構和第二狹縫結構之間；穿透層疊結構的一部分的第一柵極隔離層，該第一柵極隔離層設置在第一狹縫結構和第二狹縫結構之間；穿透層疊結構的一部分的第二柵極隔離層，該第二柵極隔離層設置在第一狹縫結構和第二狹縫結構之間；以及穿透層疊結構的第一溝道結構，所述第一溝道結構設置在第一柵極隔離層和第二柵極隔離層之間，其中，多個絕緣圖案包括與第一柵極隔離層和第二柵極隔離層的最下部接觸的第二絕緣圖案以及與第一柵極隔離層和第二柵極隔離層間隔開的第一絕緣圖案，其中，第二絕緣圖案的厚度比第一絕緣圖案的厚度厚。

附圖說明

現在將在下文參照附圖更充分地描述實施方式的示例；然而，其可按照不同的形式來具體實現，不應被解釋為限于本文中所闡述的實施方式。

在附圖中，為了例示清晰，尺寸可能被夸大。將理解，當元件被稱為在兩個元件“之間”時，其可以是這兩個元件之間的僅有元件，或者也可存在一個或更多個中間元件。相似的標號始終表示相似的元件。

圖1A是根據本公開的第一實施方式的半導體存儲器裝置的平面圖。

圖1B是沿著圖1A所示的線A-A’截取的截面圖。

圖1C是圖1B所示的區域B的放大圖。

圖2A是根據本公開的第二實施方式的半導體存儲器裝置的截面圖。

圖2B是圖2A所示的區域C的放大圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是示出根據本公開的第一實施方式的半導體存儲器裝置的制造方法的截面圖。