[發明專利]一種應用于超低靜態電流LDO的輸出級泄放電路在審
| 申請號： | 202010645487.4 | 申請日： | 2020-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN111930167A | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發明（設計）人： | 項駿;馮光濤 | 申請（專利權）人： | 芯創智（北京）微電子有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;高凱 |
| 地址： | 100176 北京市大興區北京經濟*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應用于 靜態 電流 ldo 輸出 級泄放 電路 | ||
1.一種應用于超低靜態電流LDO的輸出級泄放電路，其特征在于，所述輸出級泄放電路包括運算放大器AMP、PMOS功率管MP、一對PMOS管MP1、NMOS管MN1和MN2，所述運算放大器AMP的反相輸入端與基準電壓Vref相連，所述運算放大器AMP的同相輸入端與電壓反饋Vfb相連，所述功率管MP的柵極與所述運算放大器AMP的輸出端相連，所述功率管MP的漏極與工作電壓Vdd相連，每一所述PMOS管MP1與功率管MP的寬長比為成比例設置的。
2.根據權利要求1所述的一種應用于超低靜態電流LDO的輸出級泄放電路，其特征在于，一對所述PMOS管MP1之間的漏極和柵極分別對應相連，一所述PMOS管的源極分別與NMOS管MN2的源極和柵極相連，NMOS管MN2的漏極和另一PMOS管的源極通過設置有的偏置電流Ib相連，NMOS管MN2的漏極與NMOS管MN1的漏極相連，NMOS管MN1的漏極接地，NMOS管的MN1和MN2的柵極相連，NMOS管MN1的源極與PMOS管MP的源極相連。
3.根據權利要求2所述的一種應用于超低靜態電流LDO的輸出級泄放電路，其特征在于，所述NMOS管MN1和NM2之間的寬長比為成比例設置的。
4.根據權利要求1所述的一種應用于超低靜態電流LDO的輸出級泄放電路，其特征在于，所述功率管MP的源極通過電阻Rf1與運算放大器AMP的同相輸入端相連，所述功率管MP的源極與外部負載Vout相連。
5.根據權利要求2所述的一種應用于超低靜態電流LDO的輸出級泄放電路，其特征在于，所述MOS管MP的源極通過電阻Rf1和Rf2接地，其中運算放大器AMP的同相輸入端連接在所述電阻Rf1和Rf2之間。
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