[發(fā)明專利]發(fā)光器件、包括其的顯示設(shè)備、及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010640435.8
• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN112186113A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李熙在;金星祐;張銀珠;丁大榮;韓文奎
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金擬粲

本發(fā)明涉及發(fā)光器件、包括其的顯示設(shè)備、及其制造方法。發(fā)光器件包括：第一電極和具有面向所述第一電極的表面的第二電極；設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括量子點(例如，多個量子點)的發(fā)射層；以及設(shè)置在所述發(fā)射層和所述第二電極之間的電子輔助層。所述電子輔助層包括包含第一金屬氧化物的第一層、和設(shè)置在所述第一層上并且包括第二金屬氧化物的第二層。當(dāng)通過電子顯微鏡法分析測定時，所述第二層和所述第二電極之間的界面的粗糙度小于約10nm。所述第二層的導(dǎo)帶底能級與所述第二電極的功函之間的差的絕對值可小于或等于約0.5eV，和所述第一層的導(dǎo)帶底能級可小于所述第二層的導(dǎo)帶底能級。

對相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2019年7月5日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2019-0081628的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益、以及由其產(chǎn)生的所有權(quán)益，將其全部內(nèi)容通過引用引入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

公開了發(fā)光器件和顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

與塊體材料不同，納米顆粒的固有物理特性(例如，能帶隙或熔點)可通過改變納米顆粒的尺寸而改變。量子點可呈現(xiàn)出電致發(fā)光和光致發(fā)光性質(zhì)。例如，也稱作量子點的半導(dǎo)體納米晶體顆粒如果被置于激發(fā)能態(tài)下、例如在來自光源的照射的情況下或在電能例如施加的電流下，可發(fā)射與量子點的尺寸對應(yīng)的波長的光。

因此，量子點可用作可發(fā)射特定波長的光的發(fā)光元件，并且是當(dāng)前令人感興趣的。

發(fā)明內(nèi)容

關(guān)于使用量子點作為發(fā)光器件中的發(fā)光元件的研究正在進(jìn)行并且是令人非常感興趣的。本文中公開了開發(fā)量子點和對使用具有改善性能的量子點的發(fā)光器件的設(shè)計改進(jìn)。

實施方式提供具有改善的性能的發(fā)光器件。

實施方式提供包括所述發(fā)光器件的電子設(shè)備。

根據(jù)實施方式，發(fā)光器件包括：第一電極和具有面對所述第一電極的表面的第二電極；

設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括量子點(例如，多個量子點)的發(fā)射層；以及

以及設(shè)置在所述發(fā)射層和所述第二電極之間的電子輔助層，

其中所述電子輔助層包括靠近所述發(fā)射層并且包括第一金屬氧化物的第一層、和設(shè)置在所述第一層上并且靠近所述第二電極的第二層，所述第二層包括第二金屬氧化物，

其中當(dāng)通過電子顯微鏡法分析測定時，所述第二層(例如，直接設(shè)置在所述第二電極的表面上的第二層的相對表面)和所述第二電極的表面之間的界面的粗糙度小于約10納米(nm)。

在實施方式中，所述第二層的導(dǎo)帶底能級(導(dǎo)帶邊緣能級，conduction band edgeenergy level)與所述第二電極的功函之間的差的絕對值可小于或等于約0.5電子伏特(eV)。

在實施方式中，所述第一層的導(dǎo)帶底能級可小于所述第二層的導(dǎo)帶底能級。

在實施方式中，所述第二層的導(dǎo)帶底能級可大于所述第二電極的功函。

在實施方式中，所述第二金屬氧化物或第二層的能帶隙可小于或等于約3.5eV、小于或等于約3.4eV、小于或等于約3.35eV、或者小于或等于約3.3eV。

在實施方式中，所述第二金屬氧化物或第二層的能帶隙可大于或等于約3.0eV、大于或等于約3.1eV、或者大于或等于約3.2eV。

所述第二層的導(dǎo)帶底能級與所述第二電極的功函之間的差的絕對值小于或等于約0.3eV。

所述第二層的導(dǎo)帶底能級與所述第二電極的功函之間的差的絕對值小于或等于約0.1eV。

所述發(fā)射層可不包括鎘、鉛、汞、或其組合。所述發(fā)射層可不包括鎘。