[發明專利]發光器件、包括其的顯示設備、及其制造方法

在審

• 申請號: 202010640435.8
• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN112186113A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 李熙在;金星祐;張銀珠;丁大榮;韓文奎
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.發光器件，包括：

第一電極和具有面對所述第一電極的表面的第二電極；

設置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括量子點的發射層；以及

設置在所述發射層和所述第二電極之間的電子輔助層，

其中所述電子輔助層包括靠近所述發射層并且包括第一金屬氧化物的第一層、和設置在所述第一層上并且靠近所述第二電極的第二層，所述第二層包括第二金屬氧化物，和

其中當通過電子顯微鏡法分析測定時，所述第二層和所述第二電極的表面之間的界面粗糙度小于10納米。

2.如權利要求1所述的發光器件，其中所述發射層不包括鎘。

3.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一層中的碳的量大于所述第二層中的碳的量。

4.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一層中的碳的量大于6摩爾百分比，基于包括在所述第一層中的元素的總摩爾量。

5.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一金屬氧化物具有與所述第二金屬氧化物不同的組成。

6.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一金屬氧化物和/或所述第二金屬氧化物包括鋅、鎂、鈣、鋯、釔、鈦、錫、鎢、鎳、銅、鈷、鉬、釩、鎵、錳、鐵、鋁、鈮、鈰、鍶、鋇、銦、硅、或其組合。

7.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一金屬氧化物和/或所述第二金屬氧化物包括氧化鋅、氧化鋅鎂、氧化錫、氧化鈦、或其組合。

8.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一金屬氧化物和/或所述第二金屬氧化物由化學式1表示：

化學式1

Zn_1-xM_xO

在上式中，M為Mg、Ca、Zr、W、Li、Ti、Y、Al、或其組合，和x大于或等于0且小于或等于0.5。

9.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一金屬氧化物包括所述第一金屬氧化物的納米顆粒。

10.如權利要求9所述的發光器件，其中所述第一金屬氧化物的納米顆粒的平均顆粒尺寸大于或等于1納米且小于或等于10納米。

11.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第二層的表面直接設置在所述第一層的表面上。

12.如權利要求11所述的發光器件，其中當通過電子顯微鏡法測定時，所述第二層的表面和所述第一層的表面之間的界面粗糙度小于或等于12納米。

13.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第二層和所述第二電極的表面之間的界面粗糙度小于或等于5納米。

14.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第二層的厚度大于或等于1納米且小于或等于20納米。

15.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第二層的導帶底能級與所述第二電極的功函之間的差的絕對值小于或等于0.5電子伏特，或者

其中所述第一層的導帶底能級小于所述第二層的導帶底能級，且所述第一層的導帶底能級與所述第二層的導帶底能級之間的差大于或等于0.05電子伏特。

16.如權利要求1所述的發光器件，其中所述發光器件進一步包括設置在所述第二電極的相反表面上的緩沖層，和所述緩沖層包括有機金屬化合物或金屬氟化物。

17.如權利要求16所述的發光器件，其中所述有機金屬化合物或金屬氟化物的金屬包括鋰、鋁、或其組合；和所述有機金屬化合物的有機部分包括芳族環狀部分、雜芳族環狀部分、或其組合。