[發明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202010639066.0
• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN112201653A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 邱黃俊;李瓊延;李泰勇;貝俊明
• 申請（專利權）人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/98;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 何尤玉;郭仁建

1.一種半導體裝置，其包括：

襯底和在所述襯底的頂側上的電子裝置；

在所述襯底的所述頂側上的引線框架，其在所述電子裝置上方，其中所述引線框架包括連接桿和引線；

在所述引線框架的頂側上的組件，其安裝到所述連接桿和所述引線；以及

在所述襯底的所述頂側上的囊封物，其中所述囊封物接觸所述電子裝置的一側和所述組件的一側。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述引線框架包括焊盤和從所述焊盤到所述連接桿的向下設置部，其中所述組件在低于所述焊盤的頂側的層級處安裝到所述連接桿和所述引線。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其進一步包括在所述焊盤下方的所述襯底的所述頂側上的額外組件。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述額外組件與所述焊盤熱耦合。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述電子裝置在所述組件下方。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述囊封物的頂側與所述引線框架的頂側共面。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述連接桿與所述引線之間具有間隙，且所述組件安裝為橫跨所述間隙。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述襯底包括預制襯底。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述襯底包括重布層(RDL)襯底。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述引線包括與所述襯底的導電路徑電耦合的連接區。

11.一種制造半導體裝置的方法，其包括：

提供具有頂側的襯底；

在所述襯底的所述頂側上提供電子裝置；

將組件安裝在引線框架的頂側上，其中所述組件安裝于所述引線框架的連接桿與引線之間；

將所述引線框架連接到所述襯底的所述頂側；以及

在所述襯底的所述頂側上提供囊封物，其接觸所述電子裝置的一側和所述組件的一側。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述安裝包括在所述連接桿和所述引線上提供互連件以及在所述互連件處將所述組件電連接到所述引線框架。

13.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括提供額外組件到所述襯底的所述頂側上。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述額外組件在所述引線框架的焊盤下方。

15.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括將所述額外組件熱耦合到所述引線框架。

16.一種半導體結構，其包括：

襯底，其具有頂側和導電路徑；

引線框架，其包括散熱件、連接桿、在所述散熱件與所述連接桿之間的向下設置部以及與所述導電路徑電耦合的引線，其中所述連接桿低于所述散熱件；

第一組件，其在所述襯底的所述頂側上且耦合到所述散熱件；

第二組件，其在介于所述連接桿與所述引線之間的所述引線框架的頂側上；以及

囊封物，其在所述襯底的所述頂側上、接觸所述第二組件的一側。

17.根據權利要求16所述的半導體結構，其進一步包括在所述第一組件的頂側與所述散熱件的底側之間的界面組件。

18.根據權利要求17所述的半導體結構，其中所述界面組件包括熱界面材料。