[發明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202010639066.0
• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN112201653A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 邱黃俊;李瓊延;李泰勇;貝俊明
• 申請（專利權）人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/98;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 何尤玉;郭仁建

半導體裝置和制造半導體裝置的方法。在一個實例中，一種半導體裝置包括：襯底和在所述襯底的頂側上的電子裝置；在所述襯底的所述頂側上的引線框架，其在所述電子裝置上方，其中所述引線框架包括連接桿和引線；在所述引線框架的頂側上的組件，其安裝到所述連接桿和所述引線；以及在所述襯底的所述頂側上的囊封物，其中所述囊封物接觸所述電子裝置的一側和所述組件的一側。本文中還公開其它實例和相關方法。

技術領域

本公開大體上涉及電子裝置，且更明確地說，涉及半導體裝置和制造半導體裝置的方法。

背景技術

先前的半導體封裝和形成半導體封裝的方法是不適當的，例如，導致成本過量、可靠性降低、性能相對低或封裝大小過大。通過比較此類方法與本公開并參考圖式，所屬領域的技術人員將顯而易見常規和傳統方法的其它限制和缺點。

發明內容

本揭露的各種態樣提供一種半導體裝置，其包括襯底和在所述襯底的頂側上的電子裝置；在所述襯底的所述頂側上的引線框架，其在所述電子裝置上方，其中所述引線框架包括連接桿和引線；在所述引線框架的頂側上的組件，其安裝到所述連接桿和所述引線；以及在所述襯底的所述頂側上的囊封物，其中所述囊封物接觸所述電子裝置的一側和所述組件的一側。在所述半導體裝置中，所述引線框架包括焊盤和從所述焊盤到所述連接桿的向下設置部，其中所述組件在低于所述焊盤的頂側的層級處安裝到所述連接桿和所述引線。所述半導體裝置進一步包括在所述焊盤下方的所述襯底的所述頂側上的額外組件。在所述半導體裝置中，所述額外組件與所述焊盤熱耦合。在所述半導體裝置中，所述電子裝置在所述組件下方。在所述半導體裝置中，所述囊封物的頂側與所述引線框架的頂側共面。在所述半導體裝置中，所述連接桿與所述引線之間具有間隙，且所述組件安裝為橫跨所述間隙。在所述半導體裝置中，所述襯底包括預制襯底。在所述半導體裝置中，所述襯底包括重布層(RDL)襯底。在所述半導體裝置中，所述引線包括與所述襯底的導電路徑電耦合的連接區。

本揭露的各種態樣提供一種制造半導體裝置的方法，其包括：提供具有頂側的襯底；在所述襯底的所述頂側上提供電子裝置；將組件安裝在引線框架的頂側上，其中所述組件安裝于所述引線框架的連接桿與引線之間；將所述引線框架連接到所述襯底的所述頂側；以及在所述襯底的所述頂側上提供囊封物，其接觸所述電子裝置的一側和所述組件的一側。在所述方法中，所述安裝包括在所述連接桿和所述引線上提供互連件以及在所述互連件處將所述組件電連接到所述引線框架。所述方法進一步包括提供額外組件到所述襯底的所述頂側上。在所述方法中，所述額外組件在所述引線框架的焊盤下方。所述方法進一步包括將所述額外組件熱耦合到所述引線框架。

本揭露的各種態樣提供一種半導體結構，其包括：襯底，其具有頂側和導電路徑；引線框架，其包括散熱件、連接桿、在所述散熱件與所述連接桿之間的向下設置部以及與所述導電路徑電耦合的引線，其中所述連接桿低于所述散熱件；第一組件，其在所述襯底的所述頂側上且耦合到所述散熱件；第二組件，其在介于所述連接桿與所述引線之間的所述引線框架的頂側上；以及囊封物，其在所述襯底的所述頂側上、接觸所述第二組件的一側。所述半導體結構進一步包括在所述第一組件的頂側與所述散熱件的底側之間的界面組件。在所述半導體結構中，所述界面組件包括熱界面材料。在所述半導體結構中，所述引線包括安裝區、連接區以及在所述安裝區與所述連接區之間的額外向下設置部，其中所述引線在所述連接區處電耦合到所述導電路徑，且所述半導體結構進一步包括在所述襯底的所述頂側上、在所述安裝區下方、在所述第二裝置下方的電子裝置。在所述半導體結構中，所述電子裝置熱耦合到所述引線框架。

附圖說明

圖1展示實例半導體裝置的橫截面圖。

圖2展示實例組件安裝在其上的引線框架的平面圖。

圖3A到3G展示制造實例半導體裝置的實例方法的橫截面圖。

圖4A到4C展示用于將組件安裝在實例引線框架上的實例方法的平面圖和橫截面圖。