[發明專利]EUV光刻用防塵薄膜組件中適宜的接著劑以及用該接著劑的防塵薄膜組件

在審

• 申請號: 202010637924.8
• 申請日: 2016-10-25
• 公開（公告）號: CN111679549A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 堀越淳
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62;G03F1/22
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 郭廣迅

提供一種在EUV光刻用防塵薄膜組件中適宜的接著劑和使用其的防塵薄膜組件，該防塵薄膜組件的制造方法，以及EUV光刻用防塵薄膜組件中適宜的接著劑的選擇方法。本發明的接著劑為，接著劑的硬化物在300℃的氛圍氣中進行7日連續靜置時的用下述式表示的硬度的變化率為±50％的范圍。式：硬度的變化率(％)＝{(所述靜置后的硬度)－(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。

本申請為2016年10月25日提交的名稱為“EUV光刻用防塵薄膜組件中適宜的接著劑以及用該接著劑的防塵薄膜組件”、申請號為201610937977.5的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及，在EUV光刻用防塵薄膜組件中適宜的接著劑和用其的防塵薄膜組件，更具體的涉及，例如，在使用以13.5nm為主波長的EUV(Extreme Ultra-Violet)光進行光刻時在防塵薄膜組件中適宜的接著劑和用其的防塵薄膜組件。

背景技術

在LSI，超LSI等的半導體制造或液晶面板等的制造中，要將半導體晶圓或液晶用原板中用光照射，進行圖案的制作，此時，如果使用的光掩模或中間掩模(以下，統稱“光掩模”)上有灰塵附著，該灰塵會對照射光進行遮擋，反射，由此轉印的圖案的邊緣不齊，還會使基底變黑等，從而對尺寸，品質，外觀等有損害。

由此，這樣的作業為通常無塵室中進行，但是即使如此，也難以老是保持光掩模清潔，所以，要在光掩模表面貼附作為防塵器使用的防塵薄膜組件后再進行曝光。如此，灰塵等的異物就不再光掩模的表面上附著，而是在防塵薄膜組件上附著，這樣，光刻時只要將焦點對準光掩模的圖案，異物的像就不會在轉印圖案中出現，上述問題就可以避免了。

這樣的防塵薄膜組件，一般是光良好透過的硝酸纖維素，乙酸纖維素或氟樹脂等構成的透明的防塵膜，在涂布有防塵膜的良溶媒并風干的由鋁，不銹鋼，聚乙烯等構成的防塵薄膜組件框架的上端面上接著(專利文獻1參照)，或用丙烯酸樹脂和環氧樹脂等的接著劑接著(專利文獻2參照)。進而，防塵薄膜組件框架的下端面，具有為了貼附光掩模的由聚丁烯樹脂，聚乙酸乙烯基樹脂，丙烯酸樹脂，硅樹脂等構成的粘著層以及保護粘著層的離型層(分離膜)。

但是，近年來，半導體裝置以及液晶面板，越來越高集成化，細微化。現在，32nm程度的細微圖案在光抗蝕膜上形成的技術也變得實用化。32nm程度的圖案的場合，可以用，在半導體晶圓或液晶用原版和投影透鏡之間充滿超純水等的液體，使用ArF準分子激光，在光抗蝕膜上進行曝光的液浸曝光技術和多重曝光等的以往的使用準分子激光的改良技術來進行對應。

但是，在下一代的半導體裝置和液晶面板上要求形成進一步細微化的10nm以下的圖案，但是這樣細微化的10nm以下的圖案的形成，用以往的使用準分子激光的曝光改良技術，就不行了。

因此，作為10nm以下的圖案形成的方法，就變得必須使用以13.5nm為主波長的EUV光的EUV曝光技術了。使用這樣的EUV曝光技術，在光抗蝕膜上制作10nm以下的細微的圖案的場合，使用什么樣的光源，使用什么樣的光抗蝕，使用什么樣的防塵薄膜組件等的技術的課題的解決就變得必須了，對于這樣的技術課題，新的光源和新的光抗蝕材料，開發有了進展，各種的方案被提出。

其中，關于左右半導體裝置或液晶面板的產率的防塵薄膜組件，例如，專利文獻3中，記載了作為EUV光刻用防塵薄膜組件中使用的防塵膜，透明并且不產生光學變形的厚度0.1～2.0μm的硅制薄膜，但是在實用化的點上有未解決的問題，這樣的問題成為EUV曝光技術實用化的大的障礙。

先行技術文獻

專利文獻

專利文獻1特開昭58－219023號公報

專利文獻2特公昭63－27707號公報

專利文獻3美國專利第6623893號說明書