[發明專利]EUV光刻用防塵薄膜組件中適宜的接著劑以及用該接著劑的防塵薄膜組件

在審

• 申請號: 202010637924.8
• 申請日: 2016-10-25
• 公開（公告）號: CN111679549A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 堀越淳
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62;G03F1/22
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 郭廣迅

1.一種接著劑在EUV光刻用防塵薄膜組件中的應用，其中，相對于接著劑100質量份，不配合導熱性填充劑90質量份、100～4000質量份或4500質量份，其特征在于，將該接著劑的硬化物在300℃的氛圍氣中7天連續靜置時的用下述式表示的硬度的變化率為±50％的范圍內，

式：硬度的變化率(％)＝{(所述靜置后的硬度)－(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。

2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，所述接著劑是硅系接著劑或環氧系接著劑。

3.一種接著劑在用于制造EUV光刻用防塵薄膜組件中的應用，其中，相對于接著劑100質量份，不配合導熱性填充劑90質量份、100～4000質量份或4500質量份，其特征在于，將該接著劑的硬化物在300℃的氛圍氣中7天連續靜置時的用下述式表示的硬度的變化率為±50％的范圍內，

式：硬度的變化率(％)＝{(所述靜置后的硬度)－(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。

4.根據權利要求3所述的應用，其特征在于，所述接著劑是硅系接著劑或環氧系接著劑。

5.一種通過接著劑將防塵薄膜接著于防塵薄膜組件框架上而構成的EUV光刻用防塵薄膜組件，其特征在于，作為該接著劑，使用接著劑的硬化物在300℃的氛圍氣中7天連續靜置時的用下述式表示的硬度的變化率為±50％的范圍內的接著劑，但是，相對于接著劑100質量份，不配合導熱性填充劑90質量份、100～4000質量份或4500質量份，

式：硬度的變化率(％)＝{(所述靜置后的硬度)－(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。

6.根據權利要求5所述的EUV光刻用防塵薄膜組件，其特征在于，所述接著劑是硅系接著劑或環氧系接著劑。

7.一種貼附有EUV光刻用防塵薄膜組件的光掩模，其特征在于，在光掩模上貼附權利要求5或6所述的EUV光刻用防塵薄膜組件。

8.一種通過接著劑將防塵薄膜接著于防塵薄膜組件框架上而構成的防塵薄膜組件在EUV光刻中的應用，其特征在于，作為該接著劑，使用接著劑的硬化物在300℃的氛圍氣中7天連續靜置時的用下述式表示的硬度的變化率為±50％的范圍內的接著劑，但是，相對于接著劑100質量份，不配合導熱性填充劑90質量份、100～4000質量份或4500質量份，

式：硬度的變化率(％)＝{(所述靜置后的硬度)－(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。

9.根據權利要求8所述的應用，其特征在于，所述接著劑是硅系接著劑或環氧系接著劑。

10.一種通過接著劑將防塵薄膜接著于防塵薄膜組件框架上而構成的防塵薄膜組件在200℃～300℃的溫度下的曝光中的應用，其特征在于，作為該接著劑，使用接著劑的硬化物在300℃的氛圍氣中7天連續靜置時的用下述式表示的硬度的變化率為±50％的范圍內的接著劑，但是，相對于接著劑100質量份，不配合導熱性填充劑90質量份、100～4000質量份或4500質量份，

式：硬度的變化率(％)＝{(所述靜置后的硬度)－(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。

11.根據權利要求10所述的應用，其特征在于，所述接著劑是硅系接著劑或環氧系接著劑。

12.一種半導體的制造方法，其特征在于，使用權利要求7所述的貼附有EUV光刻用防塵薄膜組件的光掩模進行EUV曝光。