[發(fā)明專利]一種真空濺射鍍膜及其工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010633421.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111607773A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李均平;賈祥文;韓陽;張威;鄒健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州銳世訊光學(xué)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司: | 蘇州彰尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32336 | 代理人: | 趙成磊 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市相城區(qū)黃橋*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 濺射 鍍膜 及其 工藝 | ||
一種真空濺射鍍膜及其工藝,包括基片和鍍膜機(jī),鍍膜機(jī)內(nèi)設(shè)有鍍膜靶材,鍍膜靶材包括:Si、ITO和Li2O,真空濺射鍍膜的步驟包括:Step1:檢測(cè)真空度,符合檢測(cè)要求后開啟鍍膜靶材對(duì)基片進(jìn)行鍍膜;Step2:同時(shí)開啟AE電源,電源的輸出端連接有鍍膜靶材,通過調(diào)節(jié)AE電源的電流大小來控制鍍膜產(chǎn)品上的鍍膜結(jié)構(gòu)的厚度,電流越大則鍍膜結(jié)構(gòu)厚度越厚,電流越小則鍍膜結(jié)構(gòu)厚度越薄;Step3用透過率儀檢測(cè)鍍膜結(jié)構(gòu)厚度,達(dá)到鍍膜結(jié)構(gòu)厚度要求后停止調(diào)節(jié)電流,最后得到鍍膜成品。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,較為具體的,涉及到一種真空濺射鍍膜及其工藝。
背景技術(shù)
目前,真空磁控濺射鍍膜機(jī)是對(duì)金屬、玻璃和塑料表面進(jìn)行鍍膜的專用設(shè)備,其可適用于鍍制耐磨損的涂層。現(xiàn)有技術(shù)的真空磁控濺射鍍膜機(jī),包括真空抽氣系統(tǒng)、真空室、真空室的進(jìn)料口220、設(shè)置在真空室中的工件轉(zhuǎn)架以及設(shè)置在真空室體上的磁控濺射裝置,可利用物理氣相沉積(以下簡(jiǎn)稱“PVD”)技術(shù)在工件表面沉積一層幾個(gè)微米薄的金屬層。隨著生活水平的提高,人們對(duì)于具有更加廣泛用途和性能的涂層需求也越來越大。
目前鍍膜產(chǎn)品根據(jù)客戶需求需要做到多層膜結(jié)構(gòu),一般多層膜結(jié)構(gòu)需要反復(fù)的調(diào)節(jié)每層膜的厚度來達(dá)到客戶所需要的要求,如何簡(jiǎn)單便捷的控制膜層厚度是當(dāng)下需要解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,為了解決如何簡(jiǎn)單便捷的控制膜層厚度的問題上述的問題,本發(fā)明提出真空濺射鍍膜及其工藝,將需要鍍膜產(chǎn)品放置在機(jī)片架上進(jìn)入真空鍍膜室進(jìn)行抽真空處理,通過AE電源控制電流大小拉力控制每層膜的厚度。
一種真空濺射鍍膜及其工藝,包括基片4和鍍膜機(jī),鍍膜機(jī)內(nèi)設(shè)有鍍膜靶材,鍍膜靶材包括:Si、ITO和Li2O,真空濺射鍍膜的步驟包括:
Step1:檢測(cè)真空度,符合檢測(cè)要求后開啟鍍膜靶材對(duì)基片4進(jìn)行鍍膜;
Step2:同時(shí)開啟AE電源,電源的輸出端連接有鍍膜靶材,通過調(diào)節(jié)AE
電源的電流大小來控制鍍膜產(chǎn)品上的鍍膜結(jié)構(gòu)的厚度,電流越大則鍍膜結(jié)構(gòu)厚度越厚,電流越小則鍍膜結(jié)構(gòu)厚度越薄;
Step3:用透過率儀檢測(cè)鍍膜結(jié)構(gòu)厚度,達(dá)到鍍膜結(jié)構(gòu)厚度要求后停止調(diào)節(jié)電流,最后得到鍍膜成品。
進(jìn)一步的,鍍膜成品為三層鍍膜結(jié)構(gòu)時(shí),鍍膜成品由外到內(nèi)依次為:Si層膜結(jié)構(gòu)1、ITO層膜結(jié)構(gòu)2和Li2O層膜結(jié)構(gòu)3,Si層膜結(jié)構(gòu)1的厚度為5nm,ITO層膜結(jié)構(gòu)2厚度為20nm,Li2O層膜結(jié)構(gòu)3的厚度為20nm。
進(jìn)一步的,鍍膜成品為二層鍍膜結(jié)構(gòu)時(shí),鍍膜成品由外到內(nèi)依次為:Si層膜結(jié)構(gòu)1和Li2O層膜結(jié)構(gòu)3,Si層膜結(jié)構(gòu)1的厚度為10nm,Li2O層膜結(jié)構(gòu)3的厚度為40nm。
進(jìn)一步的,鍍膜成品為一層鍍膜結(jié)構(gòu)時(shí),鍍膜成品為L(zhǎng)i2O層膜結(jié)構(gòu)3,Li2O層膜結(jié)構(gòu)3的厚度為60nm。
進(jìn)一步的,鍍膜機(jī)通過添加O2或者Ar其中一種氣體進(jìn)行抽真空處理,一般O2的輸入量為130CC,Ar的輸入量為400CC。
進(jìn)一步的,鍍膜機(jī)的抽真空的標(biāo)準(zhǔn)值為小于或者等于1.0*10-3Par。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提出真空濺射鍍膜及其工藝,將需要鍍膜產(chǎn)品放置在機(jī)片架上進(jìn)入真空鍍膜室進(jìn)行抽真空處理,通過AE電源控制電流大小拉力控制每層膜的厚度,該方法簡(jiǎn)單、便捷。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的鍍膜成品的結(jié)構(gòu)示意圖。
主要元件符號(hào)說明
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





