[發(fā)明專利]一種真空濺射鍍膜及其工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010633421.3
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111607773A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李均平;賈祥文;韓陽;張威;鄒健
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州銳世訊光學(xué)科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08;C23C14/54
• 代理公司: 蘇州彰尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32336
• 代理人: 趙成磊

1.一種真空濺射鍍膜及其工藝，包括基片(4)和鍍膜機(jī)，鍍膜機(jī)內(nèi)設(shè)有鍍膜靶材，鍍膜靶材包括：Si、ITO和Li₂O，真空濺射鍍膜的步驟包括：

Step1:檢測真空度，符合檢測要求后開啟鍍膜靶材對基片(4)進(jìn)行鍍膜；

Step2:同時開啟AE電源，電源的輸出端連接有鍍膜靶材，通過調(diào)節(jié)AE電源的電流大小來控制鍍膜產(chǎn)品上的鍍膜結(jié)構(gòu)的厚度，電流越大則鍍膜結(jié)構(gòu)厚度越厚，電流越小則鍍膜結(jié)構(gòu)厚度越薄；

Step3:用透過率儀檢測鍍膜結(jié)構(gòu)厚度，達(dá)到鍍膜結(jié)構(gòu)厚度要求后停止調(diào)節(jié)電流，最后得到鍍膜成品。

2.如權(quán)利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜成品為三層鍍膜結(jié)構(gòu)時，鍍膜成品由外到內(nèi)依次為：Si層膜結(jié)構(gòu)(1)、ITO層膜結(jié)構(gòu)(2)和Li2O層膜結(jié)構(gòu)(3)，Si層膜結(jié)構(gòu)(1)的厚度為5nm，ITO層膜結(jié)構(gòu)(2)厚度為20nm，Li2O層膜結(jié)構(gòu)(3)的厚度為20nm。

3.如權(quán)利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜成品為二層鍍膜結(jié)構(gòu)時，鍍膜成品由外到內(nèi)依次為：Si層膜結(jié)構(gòu)(1)和Li2O層膜結(jié)構(gòu)(3)，Si層膜結(jié)構(gòu)(1)的厚度為10nm，Li2O層膜結(jié)構(gòu)(3)的厚度為40nm。

4.如權(quán)利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜成品為一層鍍膜結(jié)構(gòu)時，鍍膜成品為Li2O層膜結(jié)構(gòu)(3)，Li2O層膜結(jié)構(gòu)(3)的厚度為60nm。

5.如權(quán)利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜機(jī)通過添加O₂或者Ar其中一種氣體進(jìn)行抽真空處理，一般O₂的輸入量為130CC,Ar的輸入量為400CC。

6.如權(quán)利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜機(jī)的抽真空的標(biāo)準(zhǔn)值為小于或者等于1.0*10^-3Par。