[發明專利]一種真空濺射鍍膜及其工藝

在審

• 申請號: 202010633421.3
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111607773A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 李均平;賈祥文;韓陽;張威;鄒健
• 申請（專利權）人: 蘇州銳世訊光學科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08;C23C14/54
• 代理公司: 蘇州彰尚知識產權代理事務所(普通合伙) 32336
• 代理人: 趙成磊

1.一種真空濺射鍍膜及其工藝，包括基片(4)和鍍膜機，鍍膜機內設有鍍膜靶材，鍍膜靶材包括：Si、ITO和Li₂O，真空濺射鍍膜的步驟包括：

Step1:檢測真空度，符合檢測要求后開啟鍍膜靶材對基片(4)進行鍍膜；

Step2:同時開啟AE電源，電源的輸出端連接有鍍膜靶材，通過調節AE電源的電流大小來控制鍍膜產品上的鍍膜結構的厚度，電流越大則鍍膜結構厚度越厚，電流越小則鍍膜結構厚度越薄；

Step3:用透過率儀檢測鍍膜結構厚度，達到鍍膜結構厚度要求后停止調節電流，最后得到鍍膜成品。

2.如權利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜成品為三層鍍膜結構時，鍍膜成品由外到內依次為：Si層膜結構(1)、ITO層膜結構(2)和Li2O層膜結構(3)，Si層膜結構(1)的厚度為5nm，ITO層膜結構(2)厚度為20nm，Li2O層膜結構(3)的厚度為20nm。

3.如權利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜成品為二層鍍膜結構時，鍍膜成品由外到內依次為：Si層膜結構(1)和Li2O層膜結構(3)，Si層膜結構(1)的厚度為10nm，Li2O層膜結構(3)的厚度為40nm。

4.如權利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜成品為一層鍍膜結構時，鍍膜成品為Li2O層膜結構(3)，Li2O層膜結構(3)的厚度為60nm。

5.如權利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜機通過添加O₂或者Ar其中一種氣體進行抽真空處理，一般O₂的輸入量為130CC,Ar的輸入量為400CC。

6.如權利要求1所述的真空濺射鍍膜及其工藝，其特征在于：鍍膜機的抽真空的標準值為小于或者等于1.0*10^-3Par。