[發明專利]用于檢查和制造光罩的方法以及制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202010632541.1
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN112305852A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 金璱祺;宋弦昔;姜仁勇;李剛源;李周衡;張恩植
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24;G03F1/84;G03F1/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供了用于檢查和制造光罩的方法以及制造半導體器件的方法。在一個方面中，提供一種用于檢查光罩的方法，該光罩包括光罩基板和在光罩基板上的反射層。該方法可以包括：將光罩裝載于平臺上；將光罩基板冷卻至低于室溫的溫度；將激光束照射到在光罩基板上的反射層；使用光電檢測器接收從反射層反射的激光束以獲得反射層的圖像；以及基于反射層的圖像，檢測在反射層上的顆粒缺陷或在反射層中的空隙缺陷。

技術領域

本發明構思的實施方式涉及一種用于制造半導體器件的方法，更具體地，涉及一種用于檢查光罩(reticle)的方法、一種用于制造光罩的方法以及一種使用該光罩制造半導體器件的方法。

背景技術

隨著信息技術的發展，已經發展了高度集成的半導體器件。半導體器件的集成密度可能受到光刻工藝的光源的波長的極大影響。光源可以是I線光源、G線光源、準分子激光光源(例如KrF或ArF)、或其波長比準分子激光光源的波長更短的極紫外(EUV)光源。EUV光源的光子能量可以比準分子激光光源的光子能量大得多。EUV光源可能導致EUV光罩的顆粒污染和損壞。被污染的EUV光罩可以用新的光罩替換或可以被清潔。被損壞的EUV光罩可以用新的光罩替換。

發明內容

本發明構思的實施方式可以提供一種用于檢查光罩的方法(該方法能夠提高光學檢查的信噪比并使光罩的損壞最小化)、一種用于制造光罩的方法、以及一種使用該光罩制造半導體器件的方法。

在一方面中，提供一種用于檢查光罩的方法。該光罩可以包括光罩基板和在光罩基板上的反射層。該方法可以包括：將光罩裝載于平臺上；將光罩基板冷卻至低于室溫的溫度；將激光束照射到在光罩基板上的反射層；使用光電檢測器接收從反射層反射的激光束以獲得反射層的圖像；以及基于反射層的圖像，檢測在反射層上是否存在顆粒缺陷和/或在反射層中是否存在空隙缺陷。

在一方面中，一種用于制造光罩的方法可以包括在光罩基板上形成反射層以及檢查反射層。檢查反射層可以包括：將光罩基板冷卻至低于室溫的溫度；將激光束照射到反射層；使用光電檢測器接收從反射層反射的激光束以獲得反射層的圖像；以及基于反射層的圖像，檢測在反射層中是否存在缺陷。

在一方面中，一種用于制造半導體器件的方法可以包括使用光罩執行曝光工藝、檢查光罩以及儲存該光罩。光罩可以包括光罩基板、在光罩基板上的反射層以及在反射層上的吸收圖案。檢查光罩可以包括：將光罩基板冷卻至低于室溫的溫度；將激光束照射到在光罩基板上的反射層和吸收圖案；使用光電檢測器接收從反射層和吸收圖案反射的激光束以獲得反射層和吸收圖案的圖像；以及基于反射層和吸收圖案的圖像，檢測在反射層上和/或在吸收圖案上是否存在顆粒。

附圖說明

考慮到附圖和伴隨的詳細描述，本發明構思將變得更加明顯。

圖1是示出根據本發明構思的一些實施方式的用于制造半導體器件的裝置的框圖。

圖2是示出圖1的曝光裝置的實施方式的示意圖。

圖3是示出圖2的光罩的一實施方式的剖視圖。

圖4是示出圖1的光罩檢查裝置的一實施方式的框圖。

圖5是示出根據一實施方式的圖4的光罩檢查模塊的示例的剖視圖。

圖6是示出隨圖2的光罩的溫度而變化的反射層的熱容和第二激光束功率密度的增長率的圖。

圖7是示出根據一實施方式的圖4的光罩檢查模塊的示例的剖視圖。

圖8是示出圖4的光罩清潔模塊的一實施方式的剖視圖。

圖9是示出根據本發明構思的一些實施方式的用于制造半導體器件的方法的流程圖。

圖10是示出根據本發明構思的一些實施方式的用于制造圖2的光罩的方法的流程圖。