[發明專利]用于檢查和制造光罩的方法以及制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202010632541.1
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN112305852A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 金璱祺;宋弦昔;姜仁勇;李剛源;李周衡;張恩植
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24;G03F1/84;G03F1/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種用于檢查光罩的方法，所述方法包括：

將所述光罩裝載于平臺上，所述光罩包括光罩基板和在所述光罩基板上的反射層；

將所述光罩基板冷卻至低于室溫的溫度；

將激光束照射到在所述光罩基板上的所述反射層；

使用光電檢測器接收從所述反射層反射的所述激光束以獲得所述反射層的圖像；以及

基于所述反射層的所述圖像，檢測在所述反射層上是否存在顆粒缺陷和/或在所述反射層中是否存在空隙缺陷。

2.根據權利要求1所述的方法，其中冷卻所述光罩基板將所述光罩基板冷卻至低于所述室溫的145開爾文。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述激光束具有0.87W/cm²的功率密度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述激光束包括ArF紫外光。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述激光束以12.3mm/s的速度掃描。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述光罩包括極紫外光罩。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述極紫外光罩的所述反射層包括硅層和在所述硅層上的鉬層。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述極紫外光罩還包括在所述反射層上的吸收圖案。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述平臺包括用于冷卻所述光罩基板的冷卻器。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述冷卻器包括珀耳帖器件或鼓風器件。

11.一種用于制造光罩的方法，所述方法包括：

在光罩基板上形成反射層；以及

檢查所述反射層，其中檢查所述反射層包括：

將所述光罩基板冷卻至低于室溫的溫度，

將激光束照射到所述反射層，

使用光電檢測器接收從所述反射層反射的所述激光束以獲得所述反射層的圖像，以及

基于所述反射層的所述圖像，檢測在所述反射層中是否存在缺陷。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括：

響應于在所述反射層中存在所述缺陷，蝕刻所述反射層。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括：

在所述反射層上形成吸收層；

在所述吸收層上形成光致抗蝕劑；

檢查所述光致抗蝕劑；

圖案化所述光致抗蝕劑；以及

使用圖案化的光致抗蝕劑作為蝕刻掩模來蝕刻所述吸收層以形成吸收圖案。

14.根據權利要求13所述的方法，其中檢查所述光致抗蝕劑包括：

將所述光罩基板冷卻至低于所述室溫的溫度；

將另一激光束照射到所述光致抗蝕劑；

使用所述光電檢測器接收從所述光致抗蝕劑反射的所述另一激光束以獲得所述光致抗蝕劑的圖像；以及

基于所述光致抗蝕劑的所述圖像，檢測所述光致抗蝕劑中的缺陷。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括：

響應于在所述光致抗蝕劑中存在所述缺陷，去除所述光致抗蝕劑。