[發(fā)明專(zhuān)利]一種酸性含銅蝕刻廢液處理工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010631968.X | 申請(qǐng)日： | 2020-07-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111925026A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張建平;邱躍芹;吳芹;萬(wàn)海濤 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 昆山中環(huán)實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C02F9/06 | 分類(lèi)號(hào)： | C02F9/06;C02F101/20 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 酸性 蝕刻 廢液 處理 工藝 | ||
本發(fā)明提供一種酸性含銅蝕刻廢液處理工藝，包括：中和工藝，提銅工藝以及調(diào)配工藝。所述提銅工藝包括將調(diào)節(jié)pH后的溶液置于電解池中，加入電流密度為200A/m2?300A/m2，控制溫度為50?60℃條件下進(jìn)行一次電解，待電解液中銅離子的濃度小于10g/L時(shí)，進(jìn)行二次電解，二次電解的電流密度為100A/m2?200A/m2，二次電解的溫度為70?80℃，當(dāng)電解液中銅離子的溶度小于2g/L時(shí)，電解過(guò)程結(jié)束并回收電解出的單質(zhì)銅和清液。本發(fā)明提供的一種酸性含銅蝕刻廢液處理工藝，采用二次電解工藝，將電解液中的銅離子轉(zhuǎn)化為銅單質(zhì)，減少了電解過(guò)程中的能耗，回收的銅單質(zhì)純度較高，并且回收的清液可重復(fù)使用，綠色環(huán)保。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及酸性含銅蝕刻廢液，特別涉及一種酸性含銅蝕刻廢液處理工藝，屬于廢液處理技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
酸性蝕刻液的主要原料組成為氯化銨、鹽酸和氯化銅，具有強(qiáng)氧化性，能夠與銅板和鎳板發(fā)生氧化還原反應(yīng)，從而將銅板和鎳板溶解，以此實(shí)現(xiàn)對(duì)銅板和鎳板的蝕刻。含銅廢液直接排放會(huì)導(dǎo)致重大的環(huán)境污染，通過(guò)植物及水轉(zhuǎn)移至人體內(nèi)，過(guò)量的銅會(huì)與在人體內(nèi)發(fā)生酶中毒，導(dǎo)致人喪失生理機(jī)能。因此，含銅蝕刻廢液需要及時(shí)有效的進(jìn)行清理。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種酸性含銅蝕刻廢液處理工藝，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
為實(shí)現(xiàn)前述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括：
本發(fā)明實(shí)施例中提供一種酸性含銅蝕刻廢液處理工藝，其包括以下步驟：
(1)提供pH為8～10的堿性溶液，并緩慢加入酸性含銅蝕刻廢液中，在溫度為30～40℃條件下攪拌1-2h，調(diào)節(jié)入酸性含銅蝕刻廢液的pH為8～10后過(guò)濾除雜；
(2)提銅工藝：將步驟(1)中調(diào)節(jié)pH后的溶液置于電解池中，加入電流密度為200A/m2-300 A/m2，控制溫度為50-60℃條件下進(jìn)行一次電解，待電解液中銅離子的濃度小于10g/L時(shí)，進(jìn)行二次電解，二次電解的電流密度為100A/m2-200 A/m2，二次電解的溫度為70-80℃，當(dāng)電解液中銅離子的溶度小于2g/L時(shí)，電解過(guò)程結(jié)束并回收電解出的單質(zhì)銅和清液；
(3)調(diào)配工藝：向步驟(2)回收的清液中加入鹽酸、氯化銨和銅離子，調(diào)節(jié)銅離子的濃度為20-30g/L，當(dāng)清液中的氫離子、銨根離子和氯離子濃度與蝕刻子夜的濃度一致后，得到蝕刻子液并使用。
進(jìn)一步的，所述步驟(1)中采用濃度為0.5-3mol/L的NaHCO3堿性溶液調(diào)節(jié)酸性含銅蝕刻廢液的pH。
進(jìn)一步的，采用離心過(guò)濾機(jī)進(jìn)行離心過(guò)濾，濾布的目數(shù)為2000目到5000目。
進(jìn)一步的，所述步驟(2)中電解池分為陽(yáng)極區(qū)與陰極區(qū)，所述陽(yáng)極區(qū)與陰極區(qū)之間設(shè)置有聚合物隔膜。
較為優(yōu)選的，所述步驟(2)中電解池陽(yáng)極區(qū)的陰極為純銅制品，但不限于此。
較為優(yōu)選的，所述步驟(2)中電解液包括硫酸溶液和硫酸銅溶液中的任意一種或兩種的組合，但不限于此。
較為優(yōu)選的，所述步驟(2)中陽(yáng)極區(qū)的陽(yáng)極為以銥釕鍍層鈦板，但不限于此。
進(jìn)一步的，所述步驟(3)中所述蝕刻子液中氯離子的濃度為200g/L～240g/L。
進(jìn)一步的，所述步驟(3)中銨根離子的濃度為100g/L～300g/L。
進(jìn)一步的，所述步驟(3)中采用1mol/L～5mol/L鹽酸調(diào)節(jié)蝕刻子液的酸度。
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