[發(fā)明專(zhuān)利]微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010631080.6
• 申請(qǐng)日: 2020-07-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112992757B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張嘉修;鍾光韋;江仁杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/683;H01L33/48
• 代理公司: 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強(qiáng)

1.一種微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括：

在DMD芯片的多個(gè)微型振鏡上形成第一膠層；

將第一基板上形成的多個(gè)微發(fā)光二極管芯片粘接在所述第一膠層上，并使多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片與多個(gè)所述微型振鏡一一對(duì)應(yīng)；

剝離所述第一基板；

溶解所述第一膠層，以使所述第一膠層之位于相鄰的兩個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片之間的部分被除去，所述第一膠層之連接所述微發(fā)光二極管芯片和所述微型振鏡的部分被保留而形成弱化結(jié)構(gòu)；

在第三基板上形成第二膠層，并將所述第二膠層與多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片粘接；

調(diào)節(jié)多個(gè)所述微型振鏡中的部分所述微型振鏡旋轉(zhuǎn)，以使所述弱化結(jié)構(gòu)斷裂，使所述微發(fā)光二極管芯片與對(duì)應(yīng)的所述微型振鏡分離；

將所述第三基板攜帶的多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片與顯示背板鍵合。

2.如權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，在DMD芯片的多個(gè)微型振鏡上形成第一膠層，包括：

提供所述DMD芯片，所述DMD芯片包括第二基板和設(shè)置在所述第二基板上的多個(gè)所述微型振鏡；每個(gè)所述微型振鏡相對(duì)所述第二基板包括第一狀態(tài)和第二狀態(tài)，在所述第一狀態(tài)時(shí)，所述微型振鏡的鏡面相對(duì)所述第二基板的板面平行，在所述第二狀態(tài)時(shí)，所述微型振鏡的鏡面相對(duì)所述第二基板的板面傾斜；

在形成所述第一膠層時(shí)，設(shè)置多個(gè)所述微型振鏡均處于所述第一狀態(tài)。

3.如權(quán)利要求2所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，調(diào)節(jié)多個(gè)所述微型振鏡中的部分所述微型振鏡旋轉(zhuǎn)時(shí)，旋轉(zhuǎn)的部分所述微型振鏡從所述第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅诙顟B(tài)。

4.如權(quán)利要求3所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，調(diào)節(jié)多個(gè)所述微型振鏡中的部分所述微型振鏡旋轉(zhuǎn)時(shí)，設(shè)置相鄰的兩個(gè)處于所述第二狀態(tài)的所述微型振鏡之間至少包含一個(gè)處于所述第一狀態(tài)的所述微型振鏡。

5.如權(quán)利要求4所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，調(diào)節(jié)處于所述第二狀態(tài)的多個(gè)所述微型振鏡時(shí)，設(shè)置處于所述第二狀態(tài)的任意相鄰的兩個(gè)所述微型振鏡的間隔距離相等。

6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，溶解所述第一膠層時(shí)，包括：

使用溶劑從所述第一膠層之背向所述DMD芯片的表面對(duì)所述第一膠層進(jìn)行溶解，使得所述第一膠層從背向所述DMD芯片的表面向朝向所述DMD芯片的表面的溶解程度逐漸減少，從而使得所述弱化結(jié)構(gòu)形成從所述微發(fā)光二極管芯片一側(cè)向所述DMD芯片的一側(cè)呈尺寸逐漸增大的結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，調(diào)節(jié)所述溶劑的用量和反應(yīng)時(shí)間，以使所述弱化結(jié)構(gòu)的截面的形狀呈等腰三角形或等腰梯形。

8.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，將第一基板上形成的多個(gè)微發(fā)光二極管芯片粘接在所述第一膠層上，包括：

在所述第一基板上形成多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片，所述微發(fā)光二極管芯片包括磊晶以及形成在所述磊晶上的P電極和N電極，所述P電極和所述N電極位于背向所述第一基板的一側(cè)，且所述P電極和所述N電極之間具有間隔距離；

將所述第一膠層嵌入所述P電極和所述N電極之間的間隔中。

9.如權(quán)利要求8所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，溶解所述第一膠層時(shí)，使所述P電極和所述N電極的外側(cè)的所述第一膠層除去，使所述P電極和所述N電極之間的所述第一膠層保留而形成所述弱化結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，將所述第三基板攜帶的多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片與顯示背板鍵合后，剝離所述第三基板和所述第二膠層。