[發(fā)明專利]微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010631080.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112992757B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張嘉修;鍾光韋;江仁杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強(qiáng) |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 芯片 巨量 轉(zhuǎn)移 方法 | ||
一種微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法,包括:在DMD芯片的多個(gè)微型振鏡上形成第一膠層;將第一基板上形成的多個(gè)微發(fā)光二極管芯片粘接在第一膠層上,并使多個(gè)微發(fā)光二極管芯片與多個(gè)微型振鏡一一對(duì)應(yīng);剝離第一基板;溶解第一膠層,以使第一膠層之位于相鄰的兩個(gè)微發(fā)光二極管芯片之間的部分被除去,第一膠層之連接微發(fā)光二極管芯片和微型振鏡的部分被保留而形成弱化結(jié)構(gòu);在第三基板上形成第二膠層,并將第二膠層與多個(gè)微發(fā)光二極管芯片粘接;調(diào)節(jié)多個(gè)微型振鏡中的部分微型振鏡旋轉(zhuǎn),以使弱化結(jié)構(gòu)斷裂,使微發(fā)光二極管芯片與對(duì)應(yīng)的微型振鏡分離;將第三基板攜帶的多個(gè)微發(fā)光二極管芯片與顯示背板鍵合,轉(zhuǎn)移工藝簡(jiǎn)單,易于實(shí)施。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微發(fā)光二極管芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法。
背景技術(shù)
微型發(fā)光二極管(Micro-LED)顯示面板是一種具有幾十上百萬(wàn)的巨量微發(fā)光二極管芯片的顯示器件,微發(fā)光二極管芯片顯示面板具有諸多優(yōu)勢(shì)而具有良好的發(fā)展前景。
在微發(fā)光二極管芯片顯示面板制造過(guò)程中,將基板上形成的巨量微發(fā)光二極管芯片轉(zhuǎn)移到顯示背板是關(guān)鍵技術(shù)。目前的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)主要包括溶液法、激光選擇性解膠法等,都存在工藝復(fù)雜,實(shí)施困難的問(wèn)題。
因此,如何提供一種工藝簡(jiǎn)單,容易實(shí)施的巨量轉(zhuǎn)移方法是亟需解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本申請(qǐng)的目的在于提供一種微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法,旨在解決巨量轉(zhuǎn)移方法工藝復(fù)雜,實(shí)施困難的問(wèn)題。
一種微發(fā)光二極管芯片巨量轉(zhuǎn)移方法,包括:在DMD芯片的多個(gè)微型振鏡上形成第一膠層;將第一基板上形成的多個(gè)微發(fā)光二極管芯片粘接在所述第一膠層上,并使多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片與多個(gè)所述微型振鏡一一對(duì)應(yīng);剝離所述第一基板;溶解所述第一膠層,以使所述第一膠層之位于相鄰的兩個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片之間的部分被除去,所述第一膠層之連接所述微發(fā)光二極管芯片和所述微型振鏡的部分被保留而形成弱化結(jié)構(gòu);在第三基板上形成第二膠層,并將所述第二膠層與多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片粘接;調(diào)節(jié)多個(gè)所述微型振鏡中的部分所述微型振鏡旋轉(zhuǎn),以使所述弱化結(jié)構(gòu)斷裂,使所述微發(fā)光二極管芯片與對(duì)應(yīng)的所述微型振鏡分離;將所述第三基板攜帶的多個(gè)所述微發(fā)光二極管芯片與顯示背板鍵合。
本發(fā)明利用DMD芯片的多個(gè)微型振鏡具有各自獨(dú)立旋轉(zhuǎn)的特性,并通過(guò)溶解第一膠層并形成弱化結(jié)構(gòu),通過(guò)控制微型振鏡的旋轉(zhuǎn)使弱化結(jié)構(gòu)斷裂的方法,實(shí)現(xiàn)微發(fā)光二極管芯片的巨量轉(zhuǎn)移,DMD芯片是一種易于取得,且易于控制的成熟器件,整個(gè)轉(zhuǎn)移過(guò)程中,轉(zhuǎn)移工藝簡(jiǎn)單,易于實(shí)施。
可選的,在DMD芯片的多個(gè)微型振鏡上形成第一膠層,包括:提供所述DMD芯片,所述DMD芯片包括第二基板和設(shè)置在所述第二基板上的多個(gè)所述微型振鏡;每個(gè)所述微型振鏡相對(duì)所述第二基板包括第一狀態(tài)和第二狀態(tài),在所述第一狀態(tài)時(shí),所述微型振鏡的鏡面相對(duì)所述第二基板的板面平行,在所述第二狀態(tài)時(shí),所述微型振鏡的鏡面相對(duì)所述第二基板的板面傾斜;在形成所述第一膠層時(shí),設(shè)置多個(gè)所述微型振鏡均處于所述第一狀態(tài)。處于第一狀態(tài)時(shí),微型振鏡的鏡面與第二基板的板面平行,此時(shí)多個(gè)微型振鏡的鏡面形成平齊的平面,便于與第一膠層粘接,且可使得每個(gè)微型振鏡的鏡面與第一膠層具有良好的連接,避免某些微型振鏡由于處于第二狀態(tài)而只有部分鏡面和第一膠層連接,進(jìn)而導(dǎo)致連接失效。
可選的,調(diào)節(jié)多個(gè)所述微型振鏡中的部分所述微型振鏡旋轉(zhuǎn)時(shí),旋轉(zhuǎn)的部分所述微型振鏡從所述第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅诙顟B(tài)。微型振鏡從第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙顟B(tài),使得與之連接的弱化結(jié)構(gòu)受到扭轉(zhuǎn)和拉扯作用,容易折斷。
可選的,調(diào)節(jié)多個(gè)所述微型振鏡中的部分所述微型振鏡旋轉(zhuǎn)時(shí),設(shè)置相鄰的兩個(gè)處于所述第二狀態(tài)的所述微型振鏡之間至少包含一個(gè)處于所述第一狀態(tài)的所述微型振鏡。設(shè)置相鄰的兩個(gè)處于第二狀態(tài)的微型振鏡之間至少包含一個(gè)處于第一狀態(tài)的微型振鏡,能轉(zhuǎn)移相同發(fā)光顏色的微發(fā)光二極管芯片,能具有更高的轉(zhuǎn)移效率。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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