[發(fā)明專利]多通路式蒸發(fā)源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010630958.4 | 申請日: | 2020-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN111621750B | 公開(公告)日: | 2023-01-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 艾金虎 | 申請(專利權(quán))人: | 埃頻(上海)儀器科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/30 | 分類號: | C23C14/30 |
| 代理公司: | 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 李鏑的 |
| 地址: | 201415 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 通路 蒸發(fā) | ||
本發(fā)明提供了一種多通路式蒸發(fā)源,所述多通路式蒸發(fā)源包括:多組獨立蒸發(fā)通道,被配置為分別對鍍膜對象提供蒸發(fā)操作;集成罩,被配置為將所述多組獨立蒸發(fā)通道的頂端集成在一封閉空間內(nèi),所述多組獨立蒸發(fā)通道通過其頂端將蒸發(fā)的靶材傳送至所述鍍膜對象;組合擋板,被配置為位于所述集成罩與所述鍍膜對象之間,通過開啟動作和關(guān)閉動作,使所述多組獨立蒸發(fā)通道與所述鍍膜對象之間連通或隔斷;安裝法蘭,被配置為將所述多組獨立蒸發(fā)通道與擋板驅(qū)動集成在一起;擋板驅(qū)動,被配置為控制并驅(qū)動所述組合擋板的開啟動作和關(guān)閉動作。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種多通路式蒸發(fā)源。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體集成電路,傳感器和太陽能電池板的生產(chǎn)過程中,很多結(jié)構(gòu)都需要真空鍍膜技術(shù)來生成。因此真空鍍膜直接決定了半導(dǎo)體和太陽能電池板等產(chǎn)品的質(zhì)量。真空鍍膜的研究與應(yīng)用都離不開其產(chǎn)生設(shè)備,因此蒸發(fā)源的研發(fā)具有重要意義。
目前國內(nèi)外的主要真空鍍膜技術(shù)有真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜,其中應(yīng)用最多的是真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù),即在高真空或超高真空的腔室中通過蒸發(fā)源加熱使膜材(如金屬或化合物)蒸發(fā)。蒸發(fā)的粒子從膜材表面逸出,在蒸發(fā)分子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片間的線尺寸的情況下,可直接到達基片表面上并凝結(jié)生成膜。
電子束加熱蒸發(fā)源,其原理是基于電子在電場的作用下,所獲得的動能轉(zhuǎn)化為加熱的熱能,從而實現(xiàn)對膜材的加熱,蒸發(fā),凝結(jié)成所需薄膜。它主要由提供電子的陰極,陽極,聚束極和磁場組成。電子束加熱源的特點是能量集中,能使膜材表面迅速獲得極高的溫度,膜材蒸發(fā)速率和薄膜沉積速率較高,可通水冷卻,可調(diào)控溫度范圍大。目前的電子束加熱蒸發(fā)源大都是利用高溫電子轟擊膜材靠巨大的能量熔化金屬(或化合物)再使其蒸發(fā)并鍍膜。具體步驟包括:使燈絲通電,燈絲發(fā)熱,產(chǎn)生熱電子。燈絲接地,位于地電勢。蒸發(fā)棒/坩堝距離燈絲約5-10mm,蒸發(fā)棒/坩堝接正高壓(例如+800V)。在電場的作用下,電子被加速,轟擊蒸發(fā)棒/坩堝頂端,蒸發(fā)棒/坩堝被高能電子束加熱。蒸發(fā)棒/位于坩堝中的靶材受熱,蒸發(fā)出來,沉積到襯底上。束流監(jiān)控裝置實時監(jiān)控生長束流。蒸發(fā)棒組件需要帶有線性移動組件,用于調(diào)節(jié)蒸發(fā)棒頂端和燈絲之間的距離。
影響蒸發(fā)鍍膜性能的主要因素是蒸發(fā)速率、殘余氣體和蒸發(fā)溫度。蒸發(fā)速率直接決定了薄膜的質(zhì)量,相應(yīng)的膜材對應(yīng)相應(yīng)的蒸發(fā)速率和沉積速率,蒸發(fā)鍍膜與其他鍍膜方法對比有更高的沉積率,可以蒸鍍大多數(shù)的金屬和化合物膜。當(dāng)鍍膜工藝需要多種金屬或化合物共同組成膜材/靶材時,很難同時對不同的材料進行分別控制,以滿足工藝要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種多通路式蒸發(fā)源,以解決現(xiàn)有的鍍膜工藝由于膜材組成復(fù)雜導(dǎo)致工藝過程難以控制的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種多通路式蒸發(fā)源,所述多通路式蒸發(fā)源包括:
多組獨立蒸發(fā)通道,被配置為分別對鍍膜對象提供蒸發(fā)操作;
集成罩,被配置為將所述多組獨立蒸發(fā)通道的頂端集成在一封閉空間內(nèi),所述多組獨立蒸發(fā)通道通過其頂端將蒸發(fā)的靶材傳送至所述鍍膜對象;
組合擋板,被配置為位于所述集成罩與所述鍍膜對象之間,通過開啟動作和關(guān)閉動作,使所述多組獨立蒸發(fā)通道與所述鍍膜對象之間連通或隔斷;
擋板驅(qū)動,被配置為控制并驅(qū)動所述組合擋板的開啟動作和關(guān)閉動作;
安裝法蘭,被配置為將所述多組獨立蒸發(fā)通道與所述擋板驅(qū)動集成在一起。
可選的,在所述的多通路式蒸發(fā)源中,所述多組獨立蒸發(fā)通道與所述鍍膜對象之間狀態(tài)包括:
所述多組獨立蒸發(fā)通道與所述鍍膜對象之間均連通;
所述多組獨立蒸發(fā)通道與所述鍍膜對象之間均隔斷;
所述多組獨立蒸發(fā)通道中的一個或多個與所述鍍膜對象之間連通;
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





