[發明專利]閃存Nand Flash的數據寫入方法、裝置、電子設備及存儲介質

有效

• 申請號: 202010630955.0
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111813339B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 唐越;鄧玉良;朱曉銳;殷中云;鄭偉坤;李昂陽
• 申請（專利權）人: 深圳市國微電子有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 王海濱

本發明公開了一種閃存Nand?Flash的數據寫入方法，包括：在接收到編程指令時，獲取編輯記錄表中Nand?Flash芯片的各存儲塊對應的編輯次數，獲取編輯記錄表中各存儲塊對應的編程間隔時間，及獲取Nand?Flash芯片當前的編程溫度；利用各編輯次數、各編程間隔時間及編程溫度分別計算各存儲塊對應的編程優先級系數；根據編程優先級系數的系數值大小確定各存儲塊中待編程的目標存儲塊；對目標存儲塊進行數據寫入。通過實施本方案，根據Nand?Flash芯片當前的編程溫度、各存儲塊的編輯次數及編程間隔時間計算各存儲塊的編程優先級系數，根據編程優先級系數確定Nand?Flash芯片中的目標存儲塊，并對目標存儲塊進行數據寫入，可降低Nand?Flash芯片的誤碼率。

技術領域

本發明涉及Nand?Flash數據技術領域，尤其涉及一種閃存Nand?Flash的數據寫入方法、裝置、電子設備及存儲介質。

背景技術

固態存儲技術具有非易失性、抗震性好、存儲密度高、訪問速度快、功耗低等優勢，逐漸成為使用最廣泛的非易失性存儲器之一。為了降低NAND?Flash的成本，3D(ThreeDimensions，三維)垂直設計的Nand?Flash(閃存)芯片已逐步實現在硅片上進行垂直堆疊的結構設計，及Nand?Flash發展了多比特存儲技術，這雖然使得Nand?Flash的存儲密度快速增加，但是也會不斷降低Nand?Flash的可靠性。

為了解決上述問題，相關技術是通過采用磨損均衡方法高效的利用NAND?Flash存儲芯片中每個存儲物理塊，使得各個存儲物理塊的擦除次數更均勻化，減少不必要的數據遷移操作和塊擦除操作，以推遲存儲塊到達擦除次數上限的時間；但是，該磨損均衡方法只能延長Nand?Flash芯片的可靠工作時間，無法降低Nand?Flash存儲芯片的誤碼率。

因此，有必要提出一種新的Nand?Flash的控制技術。

發明內容

本申請提供了一種閃存Nand?Flash的數據寫入方法、裝置、電子設備及存儲介質，可以解決無法降低Nand?Flash存儲芯片的誤碼率的技術問題。

本發明第一方面提供一種閃存Nand?Flash的數據寫入方法，所述方法包括：

在接收到編程指令時，獲取編輯記錄表中Nand?Flash芯片的各存儲塊對應的編輯次數，獲取所述編輯記錄表中各所述存儲塊對應的編程間隔時間，及獲取所述Nand?Flash芯片當前的編程溫度；

利用各所述編輯次數、各所述編程間隔時間及所述編程溫度分別計算所述各存儲塊對應的編程優先級系數；

根據所述編程優先級系數的系數值大小確定所述Nand?Flash芯片中待編程的目標存儲塊；

對所述目標存儲塊進行數據寫入。

可選的，所述獲取編輯記錄表中Nand?Flash芯片的各存儲塊對應的編輯次數的步驟之前包括：

分別獲取所述Nand?Flash芯片中各所述存儲塊對應的編輯次數；

根據所述編輯次數的大小進行排序，得到各所述存儲塊的編輯次數序列；

根據所述編輯次數序列生成所述Nand?Flash芯片的所述編輯記錄表。

可選的，所述獲取編輯記錄表中Nand?Flash芯片的各存儲塊對應的編輯次數，獲取所述編輯記錄表中各所述存儲塊對應的編程間隔時間的步驟包括：

查找所述編輯記錄表中的編輯次數序列，確定所述編輯次數序列中各所述存儲塊對應的編輯次數；

獲取所述編輯記錄表中各所述存儲塊編程時間，根據所述編程時間與當前的時間確定所述編程間隔時間。