[發明專利]閃存Nand Flash的數據寫入方法、裝置、電子設備及存儲介質

有效

• 申請號: 202010630955.0
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111813339B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 唐越;鄧玉良;朱曉銳;殷中云;鄭偉坤;李昂陽
• 申請（專利權）人: 深圳市國微電子有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 王海濱

1.一種閃存Nand?Flash的數據寫入方法，其特征在于，所述方法包括：

在接收到編程指令時，獲取編輯記錄表中Nand?Flash芯片的各存儲塊對應的編輯次數，獲取所述編輯記錄表中各所述存儲塊對應的編程間隔時間，及獲取所述Nand?Flash芯片當前的編程溫度；

利用各所述編輯次數、各所述編程間隔時間及所述編程溫度分別計算所述各存儲塊對應的編程優先級系數，包括：利用各所述編輯次數計算所述各存儲塊的編輯次數平均值；根據各所述編輯次數及所述編輯次數平均值分別計算各所述存儲塊對應的編輯次數差值；利用所述編輯次數差值、各所述編程間隔時間及所述編程溫度分別計算所述各存儲塊對應的編程優先級系數，所述編程優先級系數的計算公式如下：

其中，表示所述編程優先級系數，表示所述編輯次數差值，表示所述編程間隔時間，表示所述編程溫度；

根據所述編程優先級系數的系數值大小確定所述Nand?Flash芯片中待編程的目標存儲塊；

對所述目標存儲塊進行數據寫入。

2.根據權利要求1所述的閃存Nand?Flash的數據寫入方法，其特征在于，所述獲取編輯記錄表中Nand?Flash芯片的各存儲塊對應的編輯次數的步驟之前包括：

分別獲取所述Nand?Flash芯片中各所述存儲塊對應的編輯次數及編程時間；

根據所述編輯次數的大小進行排序，得到各所述存儲塊的編輯次數序列；

根據所述編輯次數序列及所述編程時間生成所述Nand?Flash芯片的所述編輯記錄表。

3.根據權利要求1所述的閃存Nand?Flash的數據寫入方法，其特征在于，所述獲取編輯記錄表中Nand?Flash芯片的各存儲塊對應的編輯次數，獲取所述編輯記錄表中各所述存儲塊對應的編程間隔時間的步驟包括：

查找所述編輯記錄表中的編輯次數序列，確定所述編輯次數序列中各所述存儲塊對應的編輯次數；

獲取所述編輯記錄表中各所述存儲塊的編程時間，根據所述編程時間與當前的時間確定所述編程間隔時間。

4.根據權利要求1所述的閃存Nand?Flash的數據寫入方法，其特征在于，所述根據所述編程優先級系數的系數值大小確定所述Nand?Flash芯片中待編程的目標存儲塊的步驟包括：

將各所述存儲塊對應的所述編程優先級系數進行系數值大小排序，得到優先級序列；

查找所述優先級序列中系數值最小的所述編程優先級系數；

將系數值最小的所述編程優先級系數對應所述存儲塊確定為所述目標存儲塊。

5.根據權利要求1所述的閃存Nand?Flash的數據寫入方法，其特征在于，所述對所述目標存儲塊進行數據寫入的步驟之后包括：

在完成對所述目標存儲塊的數據寫入后，接收所述Nand?Flash芯片反饋的編程完成信號；

根據所述編程完成信號更新所述目標存儲塊在所述編輯記錄表中的編輯次數及編程時間。

6.一種閃存Nand?Flash的控制裝置，其特征在于，包括：

獲取模塊，用于在接收到編程指令時，獲取編輯記錄表中Nand?Flash芯片的各存儲塊對應的編輯次數，獲取所述編輯記錄表中各所述存儲塊對應的編程間隔時間，及獲取所述Nand?Flash芯片當前的編程溫度；

計算模塊，用于利用各所述編輯次數、各所述編程間隔時間及所述編程溫度分別計算所述各存儲塊對應的編程優先級系數，包括：利用各所述編輯次數計算所述各存儲塊的編輯次數平均值；根據各所述編輯次數及所述編輯次數平均值分別計算各所述存儲塊對應的編輯次數差值；利用所述編輯次數差值、各所述編程間隔時間及所述編程溫度分別計算所述各存儲塊對應的編程優先級系數，所述編程優先級系數的計算公式如下：

其中，表示所述編程優先級系數，表示所述編輯次數差值，表示所述編程間隔時間，表示所述編程溫度；

確定模塊，用于根據所述編程優先級系數的系數值大小確定所述Nand?Flash芯片中待編程的目標存儲塊；

寫入模塊，用于對所述目標存儲塊進行數據寫入。