[發明專利]一種耐高溫聚酰亞胺薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202010630642.5
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111704798B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發明（設計）人: 金文斌
• 申請（專利權）人: 浙江中科玖源新材料有限公司
• 主分類號: C08L79/08
• 分類號: C08L79/08;C08K9/06;C08K3/36;C08K7/00;C08J5/18;C08G73/10
• 代理公司: 合肥金律專利代理事務所(普通合伙) 34184
• 代理人: 楊霞

本發明公開了一種耐高溫聚酰亞胺薄膜，其原料包括：二胺單體、二酐單體和填料，其中，填料為氮化硼納米片和改性納米二氧化硅。本發明還公開了上述耐高溫聚酰亞胺薄膜的制備方法。本發明在具有良好耐高溫性能的同時，具有良好的機械性能和絕緣性能。

技術領域

本發明涉及聚酰亞胺薄膜技術領域，尤其涉及一種耐高溫聚酰亞胺薄膜及其制備方法。

背景技術

聚酰亞胺憑借其優異的熱穩定性、良好的力學性能和電學性能，被廣泛應用于電氣電子等領域。隨著電氣電子行業的不斷發展，需要提供具有更好耐熱性能的聚酰亞胺薄膜，以適應市場的需求。

發明內容

基于背景技術存在的技術問題，本發明提出了一種耐高溫聚酰亞胺薄膜及其制備方法，本發明在具有良好耐高溫性能的同時，具有良好的機械性能和絕緣性能。

本發明提出的一種耐高溫聚酰亞胺薄膜，其原料包括：二胺單體、二酐單體和填料，其中，填料為氮化硼納米片和改性納米二氧化硅。

優選地，填料的含量為20-25wt％。

優選地，氮化硼納米片和改性納米二氧化硅的重量比為1:0.8-1。

優選地，氮化硼納米片的尺寸小于100×100nm，厚度為8-10nm。

優選地，改性納米二氧化硅為3-氨基丙基三乙氧基硅烷改性納米二氧化硅。

優選地，二胺單體為2,2’-二甲基-4,4’-二氨基聯苯胺。

優選地，二酐單體為3,3’,4,4’-聯苯四酸酐。

上述二胺單體和二酐單體的摩爾比為1:1。

本發明還公開了上述耐高溫聚酰亞胺薄膜的制備方法，包括如下步驟：

S1、將氮化硼納米片、部分二胺單體與N,N-二甲基乙酰胺超聲分散均勻得到溶液1；將改性納米二氧化硅、剩余二胺單體與N,N-二甲基乙酰胺超聲分散均勻得到溶液2；

S2、在惰性氣體氛圍中，向溶液1中加入部分二酐單體，水浴室溫反應30-50min，然后加入溶液2混勻，再加入剩余二酐單體，繼續水浴室溫反應1.5-2h得到聚酰胺酸溶液；取聚酰胺酸溶液脫泡，涂覆于基板表面，然后亞胺化，冷卻至室溫，脫膜得到耐高溫聚酰亞胺薄膜。

優選地，在S2中，亞胺化的程序為：100-120℃保溫1h，200-220℃保溫0.5h，280-300℃保溫0.5h，350-360℃保溫20min。

優選地，在S1中，溶液1和溶液2中的二胺單體的重量相同。

優選地，在S2中，兩次加入的二酐單體的重量相同。

有益效果：

本發明選用適宜尺寸的氮化硼納米片與改性納米二氧化硅以適宜比例相互配合，使得改性納米二氧化硅圍繞在氮化硼納米片周圍，并且在聚酰亞胺中均勻分散，避免氮化硼納米片的團聚，使得薄膜在獲得良好的熱高溫性能的同時，仍然保持較好的機械性能；另外氮化硼納米片與納米二氧化硅以適宜比例發揮協同作用，在提高薄膜耐熱性的同時，薄膜的介電損耗并沒有太大變化，保持了較好的絕緣性能；選用合適的制備工藝使得氮化硼納米片與納米二氧化硅可以分散更加均勻，進一步保持薄膜的機械性能；選用合適的二胺、二酐單體可以進一步提供本發明的耐熱性。

具體實施方式

下面，通過具體實施例對本發明的技術方案進行詳細說明。

實施例1