[發明專利]垂直結構微型發光二極管顯示面板及其制造方法在審
| 申請號: | 202010628913.3 | 申請日: | 2020-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN111863729A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 朱充沛;高威;朱景輝;胡威威;尹琳書 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L33/62;H01L27/12;H01L27/15 |
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| 地址: | 210033 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 結構 微型 發光二極管 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板及其制作方法,制作方法包括如下步驟:S1:在底部背板上形成陣列分布的第一電極;S2:通過鍵合工藝使得垂直型微型二極管鍵合在底部背板的第一電極上;S3:沉積覆蓋垂直型微型二極管的填充層;S4:首先對填充層進行曝光顯影并形成位于垂直型微型二極管上的開口;然后沉積第一金屬層,對第一金屬層進行圖案化形成位于開口內的第一導通電極和位于相鄰兩個第一導通電極之間的第二導通電極。本發明避免了高溫及高壓的動作,從而解決了以上的特性影響及半導體不良風險且降低了不良導致的背板高成本損失。
技術領域
本發明涉及微型發光二極管的技術領域,尤其涉及一種垂直結構微型發光二極管顯示面板及其制造方法。
背景技術
隨著顯示行業的蓬勃發展,微型發光二極管(Micro LED)作為新一代顯示技術已經登上時代舞臺,相比現有的OLED以及LCD技術具有亮度更高、功耗更低、發光效率更好以及壽命更長的優點,但是目前Micro LED依然存在很多待解決的難題,不論是制程技術、檢查標準,還是生產制造成本,都與量產和商業應用有著很大的距離。由于Micro LED的尺寸一般小于100μm,且需要轉移的數量較多,其中一個最主要的挑戰,就是如何將巨量的MicroLED器件(以4K(4096×2160)分辨率為例需要轉移多達2654萬顆Micro LED)植入顯示背板或目標電路上,以降低其制造成本,此一環節被稱為巨量轉移。巨量轉移的原理其實就是對Micro LED晶粒產生一個作用力使其精確的被吸附起來,然后將其轉移到目標背板上進行精確的釋放。
微型發光二極管通過巨量轉移的方式放置在驅動背板的下電極上,然后經過平坦化和絕緣層等結構后形成上電極,使得下電極和上電極實現導通,但微型發光二極管在巨量轉移后需要經過金屬鍵合與背板進行連接,金屬鍵合工藝需要一定的高溫高壓條件,此時就會對半導體背板的特性產生一定影響,并且有使半導體層發生內部損傷而產生不良的風險。
發明內容
本發明的目的在于提供一種避免高溫及高壓的動作導致半導體不良風險的垂直結構微型發光二極管顯示面板及其制造方法。
本發明提供方一種垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法,包括如下步驟:
S1:在底部背板上形成陣列分布的第一電極;
S2:首先垂直型微型二極管轉移在底部背板上且位于至少部分第一電極上,然后通過鍵合工藝使得垂直型微型二極管鍵合在底部背板的第一電極上;
S3:在步驟S2的基礎上沉積覆蓋垂直型微型二極管的填充層,填充層的材料的厚度高于垂直型微型二極管的高度;
S4:在步驟S3的基礎上首先對填充層進行曝光顯影并形成位于垂直型微型二極管上的開口;然后沉積第一金屬層,對第一金屬層進行圖案化形成位于開口內的第一導通電極和位于相鄰兩個第一導通電極之間的第二導通電極,第二導通電極位于填充層上;
其中,垂直型微型二極管為單色或者紅、綠、藍三色。
進一步地,垂直型微型二極管與底部背板之間的鍵合面積不大于垂直型微型二極管的底部面積的一半。
進一步地,垂直型微型二極管的底部為方形或圓形,第一電極的形狀與垂直型微型二極管的底部形狀一致或者不一致。
進一步地,垂直型微型二極管的底部面板不小于第一電極的面積,第一電極由垂直型微型二極管整個覆蓋、或者一半的第一電極被垂直型微型二極管覆蓋、或者第一電極側邊的長度與垂直型微型二極管的側邊長度相同。
進一步地,步驟S2還包括步驟:對垂直型微型二極管進行檢測,對損壞的垂直型微型二極管進行修補。
進一步地,填充層為不透光材料。
進一步地,還包括如下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





