[發明專利]垂直結構微型發光二極管顯示面板及其制造方法

在審

• 申請號: 202010628913.3
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111863729A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 朱充沛;高威;朱景輝;胡威威;尹琳書
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L33/62;H01L27/12;H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：在底部背板上形成陣列分布的第一電極；

S2：首先垂直型微型二極管轉移在底部背板上且位于至少部分第一電極上，然后通過鍵合工藝使得垂直型微型二極管鍵合在底部背板的第一電極上；

S3：在步驟S2的基礎上沉積覆蓋垂直型微型二極管的填充層，填充層的材料的厚度高于垂直型微型二極管的高度；

S4：在步驟S3的基礎上首先對填充層進行曝光顯影并形成位于垂直型微型二極管上的開口；然后沉積第一金屬層，對第一金屬層進行圖案化形成位于開口內的第一導通電極和位于相鄰兩個第一導通電極之間的第二導通電極，第二導通電極位于填充層上；

其中，垂直型微型二極管為單色或者紅、綠、藍三色。

2.根據權利要求1所述的垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法，其特征在于，垂直型微型二極管與底部背板之間的鍵合面積不大于垂直型微型二極管的底部面積的一半。

3.根據權利要求1所述的垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法，其特征在于，垂直型微型二極管的底部為方形或圓形，第一電極的形狀與垂直型微型二極管的底部形狀一致或者不一致。

4.根據權利要求1所述的垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法，其特征在于，垂直型微型二極管的底部面板不小于第一電極的面積，第一電極由垂直型微型二極管整個覆蓋、或者一半的第一電極被垂直型微型二極管覆蓋、或者第一電極側邊的長度與垂直型微型二極管的側邊長度相同。

5.根據權利要求1所述的垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟S2還包括步驟：對垂直型微型二極管進行檢測，對損壞的垂直型微型二極管進行修補。

6.根據權利要求1所述的垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法，其特征在于，填充層為不透光材料。

7.根據權利要求1所述的垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法，其特征在于，還包括如下步驟：

S5：在步驟S4的基礎上，首先沉積絕緣層；然后對絕緣層進行圖形化使得第一導通電極的至少部分表面和第二導通電極的至少部分表面未被絕緣層覆蓋；

S6：在步驟S5的基礎上沉積半導體材料層，對半導體材料層進行圖案化形成均與第一導通電極和第二導通電極接觸的半導體層；

S7：在步驟S6的基礎上沉積柵極絕緣層；

S8：在步驟S7的基礎上沉積第二金屬層，對第二金屬層進行圖形化形成柵極；

S9：在步驟S8的基礎上沉積粘合層和封裝層。

8.根據權利要求7所述的垂直結構微型發光二極管顯示面板的顯示面板的制作方法，其特征在于，在步驟S6的基礎上，步驟S6還包括對位于第一導通電極和第二導通電極上方的半導體層進行導體化處理并分別形成位于第一導通電極上的第一導體化半導體層和位于第二導通電極上的第二導體化半導體層。

9.一種垂直結構微型發光二極管顯示面板，其特征在于，其包括底部背板、位于底部背板上的垂直型微型二極管、將垂直型微型二極管鍵合在底部背板上的第一電極、覆蓋垂直型微型二極管的填充層、位于每個垂直型微型二極管上的第一導通電極以及位于填充層上且與第一導通電極具有間距的第二導通電極，所述垂直型微型二極管為單色或者紅、綠、藍三色。

10.根據權利要求9所述的垂直結構微型發光二極管顯示面板，其特征在于，還包括填充在第一導通電極和第二導通電極之間的絕緣層、第一導通電極和第二導通電極上形成半導體層、覆蓋半導體層的柵極絕緣層、位于柵極絕緣層上且位于半導體層上方的柵極、覆蓋柵極和柵極絕緣層的粘合層以及位于粘合層上的封裝層。