[發明專利]一種電調控多波段兼容型智能偽裝結構有效
| 申請號: | 202010628091.9 | 申請日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN111883933B | 公開(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發明(設計)人: | 王龍;汪劉應;陽能軍;唐修檢;劉顧;田欣利;許可俊 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍火箭軍工程大學 |
| 主分類號: | H01Q17/00 | 分類號: | H01Q17/00;H01Q15/00;G02F1/155;G02F1/15;G02F1/157;G02F1/1516;G02F1/1524;G02B1/00 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 劉長春 |
| 地址: | 710025 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 調控 波段 兼容 智能 偽裝 結構 | ||
本發明涉及一種電調控多波段兼容型智能偽裝結構,包括:主動頻率選擇表面吸波體和設置在其上的柔性紅外兼容電致變色器。主動頻率選擇表面吸波體,在多層不同損耗型的吸波層中引入Ю型雙層可控頻率選擇表面,同時利用變容二極管等有源器件靈活地調控主動頻率選擇表面吸波體的諧振頻率,有利于拓寬其工作帶寬,實現微波寬頻帶的強吸波性能。柔性紅外兼容電致變色器,在透光電極底面鍍制有光子晶體層,光子晶體層的結構為[AB]nB[AB]n中心摻雜態光子晶體膜系結構,可以實現紅外與激光的兼容隱身。本發明的電調控多波段兼容型智能偽裝結構發揮了智能材料與超構材料的協同作用,可以實現紅外、激光、雷達、可見光多頻段兼容隱身的功能。
技術領域
本發明屬于隱身技術領域,具體涉及一種電調控多波段兼容型智能偽裝結構。
背景技術
隱身技術是躲避摧毀與達成突襲的重要手段,是世界各國武器裝備高新技術之一。現有隱身技術大都只對單一波段探測手段有效,然而卻無法同時應對當前先進的精確制導與探測技術采用雷達、激光、紅外、高光譜等多種手段聯合探測。另外,現有的隱身技術大都屬于靜態偽裝,在特定的戰場背景環境下能起到較好的隱藏偽裝效果,但又無法在裝備機動過程中,適應差異的多域復雜背景變化,因此靜態隱身技術已逐漸不能滿足未來戰場動態偽裝需求。
為了適應現代化體系作戰中面臨多種高精度探測手段、跨時空區域機動等鮮明特征,隱身技術已被迫走向多頻譜兼容隱身與自適應隱身兩個發展趨勢。然而,傳統的隱身材料與隱身結構卻難以在多頻譜兼容隱身與自適應隱身兩個方向上形成新的突破。
目前,通過特殊的結構設計與材料復合方式可以在一定程度上實現雷達、紅外以及可見光的多頻譜兼容隱身,但是大都處于基礎性實驗研究階段,且兼容性效果并不佳。因此,提出一種可電調控的紅外、激光、可見光、雷達多波段兼容型智能偽裝結構是具有非常重要的科學意義與工程價值的。
發明內容
為了解決現有技術中存在的上述問題,本發明提供了一種電調控多波段兼容型智能偽裝結構。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現:
本發明提供了一種電調控多波段兼容型智能偽裝結構,包括:主動頻率選擇表面吸波體和設置在其上的柔性紅外兼容電致變色器,其中,
所述主動頻率選擇表面吸波體包括自上而下依次設置的第一復合吸波層、第一有源可控頻率選擇表面、第二復合吸波層、第二有源可控頻率選擇表面、第三復合吸波層和金屬膜層,其中,
所述第一有源可控頻率選擇表面包括介質板以及在所述介質板上周期性排列的第一吸波體單元,相鄰所述第一吸波體單元之間通過電感連接,所述第一吸波體單元包括對稱設置的兩個Ю金屬貼片和變容二極管,所述變容二極管串接在兩個所述Ю金屬貼片之間;
所述第二有源可控頻率選擇表面包括介質板以及在所述介質板上周期性排列的第二吸波體單元,相鄰所述第二吸波體單元之間通過電感連接,所述第二吸波體單元為與旋轉90°的所述第一吸波體單元形狀相同的Ю型縫隙結構,所述第二吸波體單元包括對稱設置的兩個Ю型縫隙和變容二極管,所述變容二極管串接在兩個所述Ю型縫隙之間;
所述柔性紅外兼容電致變色器包括自上而下依次設置的第一電極、第一電致變色層、電解質層、第二電致變色層、第二電極和光子晶體層,其中,
所述光子晶體層的結構為[AB]nB[AB]n中心摻雜態光子晶體膜系結構,n表示A膜層和B膜層交替排列的周期次數,2≤n≤4。
在本發明的一個實施例中,所述第一復合吸波層和所述第三復合吸波層為鐵基復合吸波層,所述第二復合吸波層為碳基復合吸波層。
在本發明的一個實施例中,相鄰所述第一吸波體單元在水平方向上間隔設置,相鄰所述第一吸波體單元在豎直方向上通過所述電感連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國人民解放軍火箭軍工程大學,未經中國人民解放軍火箭軍工程大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010628091.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





