[發明專利]一種電調控多波段兼容型智能偽裝結構

有效

• 申請號: 202010628091.9
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111883933B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 王龍;汪劉應;陽能軍;唐修檢;劉顧;田欣利;許可俊
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍火箭軍工程大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;H01Q15/00;G02F1/155;G02F1/15;G02F1/157;G02F1/1516;G02F1/1524;G02B1/00
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種電調控多波段兼容型智能偽裝結構，其特征在于，包括：主動頻率選擇表面吸波體(1)和設置在其上的柔性紅外兼容電致變色器(2)，其中，

所述主動頻率選擇表面吸波體(1)包括自上而下依次設置的第一復合吸波層(101)、第一有源可控頻率選擇表面(102)、第二復合吸波層(103)、第二有源可控頻率選擇表面(104)、第三復合吸波層(105)和金屬膜層(106)，其中，

所述第一有源可控頻率選擇表面(102)包括介質板以及在所述介質板上周期性排列的第一吸波體單元(1021)，相鄰所述第一吸波體單元(1021)之間通過電感連接，所述第一吸波體單元(1021)包括對稱設置的兩個Ю金屬貼片和變容二極管，所述變容二極管串接在兩個所述Ю金屬貼片之間，相鄰所述第一吸波體單元(1021)在水平方向上間隔設置，相鄰所述第一吸波體單元(1021)在豎直方向上通過所述電感連接；

所述第二有源可控頻率選擇表面(104)包括介質板以及在所述介質板上周期性排列的第二吸波體單元(1041)，相鄰所述第二吸波體單元(1041)之間通過電感連接，所述第二吸波體單元(1041)為與旋轉90°的所述第一吸波體單元(1021)形狀相同的Ю型縫隙結構，所述第二吸波體單元(1041)包括對稱設置的兩個Ю型縫隙和變容二極管，所述變容二極管串接在兩個所述Ю型縫隙之間，相鄰所述第二吸波體單元(1041)在豎直方向上間隔設置，相鄰所述第二吸波體單元(1041)在水平方向上通過所述電感連接；

所述柔性紅外兼容電致變色器(2)包括自上而下依次設置的第一電極(201)、第一電致變色層(202)、電解質層(203)、第二電致變色層(204)、第二電極(205)和光子晶體層(206)，其中，

所述光子晶體層(206)的結構為[AB]ⁿB[AB]ⁿ中心摻雜態光子晶體膜系結構，n表示A膜層和B膜層交替排列的周期次數，2≤n≤4。

2.根據權利要求1所述的電調控多波段兼容型智能偽裝結構，其特征在于，所述第一復合吸波層(101)和所述第三復合吸波層(105)為鐵基復合吸波層，所述第二復合吸波層(103)為碳基復合吸波層。

3.根據權利要求1所述的電調控多波段兼容型智能偽裝結構，其特征在于，所述第一電極(201)和所述第二電極(205)為PET-ITO柔性透明導電薄膜。

4.根據權利要求1所述的電調控多波段兼容型智能偽裝結構，其特征在于，所述第一電致變色層(202)和所述第二電致變色層(204)均采用高分子導電聚合物和過渡金屬氧化物復合而成，所述高分子導電聚合物為聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩中的一種或多種，所述過渡金屬氧化物為WO₃、V₂O₅、MnO₃中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的電調控多波段兼容型智能偽裝結構，其特征在于，所述A膜層與所述B膜層滿足以下條件：

其中，n_A表示A膜層的折射率，n_B表示B膜層的折射率，d_A表示A膜層的厚度，d_B表示B膜層的厚度。

6.根據權利要求1所述的電調控多波段兼容型智能偽裝結構，其特征在于，所述A膜層和所述B膜層的材料為PbTe、Al₂O₃、SiO₂、Si₃N₄或MgF₂光學薄膜材料。