[發明專利]一種顯示面板及其制作方法在審
| 申請號: | 202010626025.8 | 申請日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN111710709A | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發明(設計)人: | 唐甲 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 高楊麗 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本申請公開了一種顯示面板及其制作方法,所述顯示面板包括陣列基板和依次設置在所述陣列基板上的陽極層和像素限定層;所述顯示面板還包括貫穿所述陽極層和所述像素限定層的多個隔槽;所述陽極層包括被所述多個隔槽劃分成的呈陣列分布的多個陽極單元;所述像素限定層包括被所述多個隔槽劃分成的多個像素限定單元;所述多個像素限定單元與所述多個陽極單元一一對應設置。本申請在形成陽極單元和像素限定單元的過程中至少可以節省一張掩模版,有利于節省時間成本和物料成本,同時有利于提高顯示面板的制作良率。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法。
背景技術
目前主要通過噴墨打印(Ink jet printing,IJP)技術制備有源矩陣有機發光二極體(Active-matrix organic light-emitting,AMOLED)顯示屏。在IJP-OLED制程中,針對噴墨打印的需求,除陽極單元和像素限定單元(Bank)制程外,還需要增加一層Double-Bank(雙像素限定單元)制程,目的是為了解決墨水的精確定位和器件壽命等問題。
圖1為示例性的具有Double-Bank結構的顯示面板1’的部分截面結構示意圖,顯示面板1’包括陣列基板2’、設置在陣列基板2’上的陽極層3’、以及位于陽極層遠離陣列基板2’一側的像素限定層4’;陽極層3’包括多個間隔設置的陽極單元6’,像素限定層4’包括堆疊設置的第一像素限定層401和第二像素限定層402以及貫穿第一像素限定層401和第二像素限定層402的像素開口13’;其中,第一像素限定層401設置在任意相鄰的兩個陽極單元6’之間且覆蓋在部分陽極單元6’上,第二像素限定層402設置在第一像素限定層401上,且第一像素限定層401在陣列基板2’上的正投影完全覆蓋第二像素限定層402在陣列基板2’上的正投影,使得像素開口13’的邊緣呈階梯狀,具體的像素開口13’貫穿第一像素限定層401的部分為發光區。圖1中的Double-Bank結構的像素限定層4’可以改善在像素開口13’中噴墨打印形成的有機發光功能層的厚度不均的問題,有利于提高顯示質量以及器件壽命。
現有技術中,制作圖1中顯示面板1’的陽極層3’、第一像素限定層401和第二像素限定層402一共需要使用三張掩模版(mask,也稱光罩);由于每增加一張掩模版,不僅會增加時間成本和物料成本,同時也會伴隨著制程良率帶來的損失。因此,急需提供一種新的顯示面板結構以及制作方法來減少掩模版使用數量。
發明內容
本申請提供一種顯示面板及其制作方法,采用一張半色調掩模版來制作陽極單元和像素限定單元,減少了掩模版的使用量,從而節省了時間成本和物料成本,同時有利于提高顯示面板的制作良率。
本申請提供一種顯示面板,包括陣列基板和依次設置在所述陣列基板上的陽極層和像素限定層;所述顯示面板還包括貫穿所述陽極層和所述像素限定層的多個隔槽;
所述陽極層包括被所述多個隔槽劃分成的呈陣列分布的多個陽極單元;
所述像素限定層包括被所述多個隔槽劃分成的多個像素限定單元;所述多個像素限定單元與所述多個陽極單元一一對應設置。
可選的,每個所述像素限定單元包括發光區、圍繞所述發光區設置的第一限定區以及圍繞所述第一限定區設置的第二限定區;
所述發光區設置有像素開口;位于所述第一限定區的所述像素限定單元的高度小于位于所述第二限定區的所述像素限定單元的高度。
可選的,所述顯示面板還包括第一發光功能層、第二發光功能層和陰極層;
所述第一發光功能層設置在每個所述像素開口中的所述陽極單元上;所述第二發光功能層覆蓋在所述多個像素限定單元和所述第一發光功能層上,且覆蓋在每個所述隔槽中;所述陰極層覆蓋在所述第二發光功能層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





