[發明專利]一種顯示面板及其制作方法

在審

• 申請號: 202010626025.8
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111710709A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 唐甲
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

1.一種顯示面板，其特征在于，包括陣列基板和依次設置在所述陣列基板上的陽極層和像素限定層；所述顯示面板還包括貫穿所述陽極層和所述像素限定層的多個隔槽；

所述陽極層包括被所述多個隔槽劃分成的呈陣列分布的多個陽極單元；

所述像素限定層包括被所述多個隔槽劃分成的多個像素限定單元；所述多個像素限定單元與所述多個陽極單元一一對應設置。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，每個所述像素限定單元包括發光區、圍繞所述發光區設置的第一限定區以及圍繞所述第一限定區設置的第二限定區；

所述發光區設置有像素開口；位于所述第一限定區的所述像素限定單元的高度小于位于所述第二限定區的所述像素限定單元的高度。

3.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括第一發光功能層、第二發光功能層和陰極層；

所述第一發光功能層設置在每個所述像素開口中的所述陽極單元上；所述第二發光功能層覆蓋在所述多個像素限定單元和所述第一發光功能層上，且覆蓋在每個所述隔槽中；所述陰極層覆蓋在所述第二發光功能層上。

4.如權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第一發光功能層包括依次設置的空穴注入層和空穴傳輸層；所述第二發光功能層包括依次設置的發光層、電子傳輸層和電子注入層。

5.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供陣列基板；

在所述陣列基板上依次形成陽極膜和光阻膜；

形成貫穿所述陽極膜和所述光阻膜的多個隔槽，以形成具有呈陣列分布的多個陽極單元的陽極層，和具有與所述多個陽極單元一一對應設置的多個像素限定單元的像素限定層。

6.如權利要求5所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，每個所述隔槽包括相連通的第一子隔槽和第二子隔槽；

所述形成貫穿所述陽極膜和所述光阻膜的多個隔槽，包括以下步驟：

提供掩模版；所述掩模版包括全透光區；

采用所述掩模版對所述光阻膜進行圖案化處理，以形成與所述全透光區對應設置的多個第一子隔槽；其中，所述第一子隔槽裸露出部分所述陽極膜；

對每個所述第一子隔槽中裸露的所述陽極層進行蝕刻，形成第二子隔槽。

7.如權利要求6所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述掩模版還包括第一半透光區、圍繞所述第一半透光區設置的第二半透光區、以及圍繞所述第二半透光區設置的不透光區；其中，所述全透光區位于所述不透光區的外圍，且所述第一半透光區的透光率大于所述第二半透光區的透光率；

所述采用所述掩模版對所述光阻膜進行圖案化處理，還包括：

形成多個像素限定單元；其中，每個所述像素限定單元包括與所述第一半透光區對應設置的發光區、與所述第二半透光區對應設置的第一限定區、以及與所述不透光區對應設置的第二限定區；位于所述發光區的所述像素限定單元的高度小于位于所述第一限定區的所述像素限定單元的高度，且位于所述第一限定區的所述像素限定單元的高度小于位于所述第二限定區的所述像素限定單元的高度。

8.如權利要求7所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，形成所述第二子隔槽之后，所述制作方法還包括以下步驟：

對所述像素限定層進行灰化處理，以在每個所述像素限定單元的所述發光區形成像素開口。

9.如權利要求8所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括以下步驟：

在每個所述像素開口中的所述陽極單元上形成第一發光功能層；

在所述多個像素限定單元和所述第一發光功能層上、以及所述隔槽內依次形成第二發光功能層和陰極層。

10.如權利要求9所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述第一發光功能層包括依次設置的空穴注入層和空穴傳輸層；所述第二發光功能層包括依次設置的發光層、電子傳輸層和電子注入層。