[發(fā)明專利]一種曲面研磨裝置及芯片提取方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010625113.6
• 申請(qǐng)日: 2020-07-01
• 公開（公告）號(hào): CN111745531B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林萬建;張順勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): B24B37/00
• 分類號(hào): B24B37/00;B24B37/11;B24B37/34;H01L21/67;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

本發(fā)明提供一種曲面研磨裝置及芯片提取方法，該裝置用于芯片曲面研磨，包括：研磨面支撐圓柱體和研磨套筒，研磨套筒套設(shè)于研磨面支撐圓柱體外，研磨套筒，用于以所述研磨面支撐圓柱體為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)對(duì)所述芯片曲面進(jìn)行研磨。這樣，通過研磨面支撐圓柱體控制研磨套筒旋轉(zhuǎn)，對(duì)芯片曲面進(jìn)行研磨，在研磨的過程中，由于研磨套筒的表面為曲面，從而使得研磨套筒能夠與芯片曲面的待研磨位置選擇性地良好接觸，進(jìn)而可以選擇性地研磨芯片曲面的待研磨位置，避免研磨互連線之前研磨金屬接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種曲面研磨裝置及芯片提取方法。

背景技術(shù)

封裝體內(nèi)的芯片失效時(shí)，需要從封裝體內(nèi)提取失效芯片即目標(biāo)芯片，而后對(duì)目標(biāo)芯片進(jìn)行檢測(cè)。

現(xiàn)有的提取目標(biāo)芯片的方法主要是采用平面研磨裝置研磨目標(biāo)芯片的互連線，直至露出目標(biāo)芯片的金屬接觸，以將目標(biāo)芯片與封裝體中的其他芯片斷開電連接，而后從封裝體中提取目標(biāo)芯片。

但是，現(xiàn)有的平面研磨裝置在研磨目標(biāo)芯片的互連線的過程中，由于芯片表面不平整或芯片的彎曲度較大，在研磨互連線之前會(huì)研磨金屬接觸，導(dǎo)致金屬接觸被破壞，后續(xù)探針無法與金屬接觸有效連接，進(jìn)而影響目標(biāo)芯片的檢測(cè)。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種曲面研磨裝置及芯片提取方法，避免金屬接觸被破壞。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明有如下技術(shù)方案：

一種曲面研磨裝置，該裝置用于芯片曲面研磨，包括：

研磨面支撐圓柱體和研磨套筒；

所述研磨套筒套設(shè)于所述研磨面支撐圓柱體外；

所述研磨套筒，用于以所述研磨面支撐圓柱體為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)對(duì)所述芯片曲面進(jìn)行研磨。

可選的，所述研磨套筒的長度小于所述研磨面支撐圓柱體的長度。

可選的，所述研磨套筒與所述研磨面支撐圓柱體之間設(shè)有粘貼層。

可選的，所述研磨面支撐圓柱體的半徑根據(jù)所述芯片曲面的尺寸確定。

一種利用上述任一項(xiàng)所述的裝置進(jìn)行芯片提取的方法，包括：

利用所述曲面研磨裝置中套設(shè)于所述研磨面支撐圓柱體的所述研磨套筒，研磨芯片堆疊中目標(biāo)芯片的互連線，直至露出所述目標(biāo)芯片的金屬接觸，以斷開所述目標(biāo)芯片與芯片堆疊中其他芯片的電連接；

從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片。

可選的，所述目標(biāo)芯片的第一表面涂覆有保護(hù)層；

所述從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片，具體為：

腐蝕所述保護(hù)層，從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片。

可選的，所述腐蝕所述保護(hù)層，從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片，具體為：

將所述堆疊芯片置于有機(jī)溶劑中進(jìn)行加熱，腐蝕所述保護(hù)層，以從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片。

可選的，在所述利用所述曲面研磨裝置研磨芯片堆疊中目標(biāo)芯片的互連線之前，還包括：

采用平面研磨裝置研磨所述芯片堆疊中的其他芯片，直至露出所述目標(biāo)芯片的互連線。

可選的，還包括：

將所述目標(biāo)芯片的第二表面粘附于載玻片上，對(duì)所述目標(biāo)芯片的第一表面進(jìn)行檢測(cè)。

可選的，所述目標(biāo)芯片的第二表面粘附有芯片連接膜；

所述從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片之后，還包括：