[發(fā)明專利]一種曲面研磨裝置及芯片提取方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010625113.6 | 申請(qǐng)日： | 2020-07-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111745531B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林萬(wàn)建;張順勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | B24B37/00 | 分類號(hào)： | B24B37/00;B24B37/11;B24B37/34;H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 曲面 研磨 裝置 芯片 提取 方法 | ||
1.一種利用曲面研磨裝置進(jìn)行芯片提取的方法，其特征在于，包括：
利用所述曲面研磨裝置中套設(shè)于研磨面支撐圓柱體的研磨套筒，研磨芯片堆疊中目標(biāo)芯片的互連線，直至露出所述目標(biāo)芯片的金屬接觸，以斷開(kāi)所述目標(biāo)芯片與芯片堆疊中其他芯片的電連接；
從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)芯片的第一表面涂覆有保護(hù)層；
所述從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片，具體為：
腐蝕所述保護(hù)層，從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述腐蝕所述保護(hù)層，從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片，具體為：
將所述堆疊芯片置于有機(jī)溶劑中進(jìn)行加熱，腐蝕所述保護(hù)層，以從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述利用所述曲面研磨裝置研磨芯片堆疊中目標(biāo)芯片的互連線之前，還包括：
采用平面研磨裝置研磨所述芯片堆疊中的其他芯片，直至露出所述目標(biāo)芯片的互連線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，還包括：
將所述目標(biāo)芯片的第二表面粘附于載玻片上，對(duì)所述目標(biāo)芯片的第一表面進(jìn)行檢測(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)芯片的第二表面粘附有芯片連接膜；
所述從所述芯片堆疊中提取所述目標(biāo)芯片之后，還包括：
將所述目標(biāo)芯片的第一表面粘附于載玻片上，去除所述目標(biāo)芯片的第二表面上的芯片連接膜，對(duì)所述目標(biāo)芯片的第二表面進(jìn)行檢測(cè)。
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