[發明專利]散熱片壓合工藝的溫度控制方法及裝置在審
| 申請號: | 202010624964.9 | 申請日: | 2020-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN112670204A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發明(設計)人: | 蔡俊宏;鄒俊暉;劉恒惠;張弘毅 | 申請(專利權)人: | 萬潤科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 聞卿 |
| 地址: | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 散熱片 工藝 溫度 控制 方法 裝置 | ||
本發明提供一種散熱片壓合工藝的溫度控制方法及裝置,包括:提供一加熱器,設于一待壓合物的一側;提供一第一感溫器,設于該待壓合物的一側;提供一第二感溫器,設于該待壓合物的另一側;提供一控制單元,電性連結該加熱器、該第一感溫器與該第二感溫器;以該第一感溫器與該第二感溫器分別感測該待壓合物兩側的溫度,并使該控制單元依感測的溫度控制該加熱器的加熱溫度。
技術領域
本發明有關于一種溫度控制方法及裝置,尤指一種在散熱片壓合工藝中用來掌握壓合溫度的散熱片壓合工藝的溫度控制方法及裝置。
背景技術
一般半導體封裝工藝中,對于需要進行散熱片封裝的半導體,通常會在已置放一晶片的一基板上側周緣與該晶片上側先分別施加粘性材料與導熱材料,然后再將一散熱片置放于粘性材料與導熱材料上,接著進行加壓與加熱的壓合工藝使該散熱片因粘性材料固化而固定于該基板上。
在壓合工藝中,該散熱片、該晶片與該基板所組成的待壓合物將以矩陣排列方式對應放置于一載盤的多個矩陣排列的鏤空區間上,該載盤可經一流道輸送至位于該流道上、下兩側的一上壓模與一下壓模之間,并由該上壓模與該下壓模夾壓該載盤上的待壓合物一預設時間;在夾壓過程中,該下壓模內的加熱器將輸出熱能,使待壓合物可在夾壓的過程中受到加熱,以利粘性材料固化;為了可監控夾壓過程中的加熱溫度,該下壓模內另設有感溫器可感測該下壓模的溫度,該感溫器的溫度訊息可傳輸至控制單元,該控制單元可依感溫器所測得的溫度自動或由操作人員手動控制各加熱器輸出的熱能。
發明內容
已知散熱片壓合工藝在實際使用上,因為下壓模由下方朝待壓合物傳遞熱能,待壓合物內部的溫度是緩慢地上升,而控制單元僅可得知當前下壓模的溫度,并無法得知待壓合物當前的溫度;假設待壓合物內的粘性材料可固化的工藝條件為需在溫度145~147度下壓合100秒,操作人員或控制單元需先控制加熱器輸出的熱能使下壓模到達約146度的溫度,但實際上因熱能傳遞時會被消耗,故待壓合物實際的溫度可能僅136度,溫度過低沒有達到工藝條件所需,導致不良品的產生;若考慮熱能消耗的問題而先調高加熱器輸出的熱能使下壓模到達約156度的溫度,但下壓模的溫度實際上并非與待壓合物的溫度存在固定的消長關系,故待壓合物實際的溫度可能是150度,溫度過高將造成待壓合物損壞,同樣導致不良品的產生。
因此,本發明的目的,在于提供一種在散熱片壓合工藝中可掌握待壓合物的溫度的散熱片壓合工藝的溫度控制方法。
本發明的另一目的,在于提供一種在散熱片壓合工藝中可掌握待壓合物的溫度的散熱片壓合工藝的溫度控制裝置。
本發明的又一目的,在于提供一種用以執行如所述溫度控制方法的裝置。
依據本發明目的的散熱片壓合工藝的溫度控制方法,包括:提供一加熱器,設于一待壓合物的一側;提供一第一感溫器,設于該待壓合物的一側;提供一第二感溫器,設于該待壓合物的另一側;提供一控制單元,電性連結該加熱器、該第一感溫器與該第二感溫器;以該第一感溫器與該第二感溫器分別感測該待壓合物兩側的溫度,并使該控制單元依感測的溫度控制該加熱器的加熱溫度。
依據本發明另一目的的散熱片壓合工藝的溫度控制裝置,包括:一第一壓模,設有一支撐體、一加熱器與一第一感溫器;一第二壓模,設有一壓體與一第二感溫器;一控制單元,電性連結該加熱器、該第一感溫器與該第二感溫器;該第一壓模與該第二壓模設于于一待壓合物的兩側,分別以該支撐體與該壓體夾壓該待壓合物;該第一感溫器與該第二感溫器可分別感測該待壓合物兩側的溫度,并以該控制單元控制該加熱器的加熱溫度。
依據本發明又一目的的散熱片壓合工藝的溫度控制裝置,包括:用以執行如所述散熱片壓合工藝的溫度控制方法的裝置。
本發明實施例的散熱片壓合工藝的溫度控制方法及裝置,該第二感溫器可在該待壓合物一側感測該待壓合物另一側的該加熱器傳遞至該待壓合物的溫度,使該控制單元可評估該待壓合物兩側的溫度判斷該待壓合物內部的溫度,以控制該加熱器的溫度達到符合壓合工藝條件所需。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





