[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體元件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010624845.3
• 申請(qǐng)日: 2020-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112447722A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇國(guó)輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/108
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/108;H01L23/528;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強(qiáng);黃艷

一種半導(dǎo)體元件及其制備方法，該半導(dǎo)體元件具有一基底，該基底具有一上表面；多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)以及多個(gè)第二位元線接觸點(diǎn)，所述多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)是接觸該基底的上表面，所述多個(gè)第二位元線接觸點(diǎn)是接觸該基底的上表面，所述多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)與所述多個(gè)第二位元線接觸點(diǎn)位于沿一第一方向的不同水平面；一氣隙，設(shè)置在該第一位元線接觸點(diǎn)與該第二位元線接觸點(diǎn)之間；多個(gè)第一位元線，分別地對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)上；以及多個(gè)第二位元線，分別地對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)上。所述多個(gè)第二位元線接觸點(diǎn)的頂表面與所述多個(gè)第一位元線的頂表面設(shè)置在沿一第二方向的不同水平面，該第二方向大致地垂直于該第一方向。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)主張2019/09/05申請(qǐng)的美國(guó)正式申請(qǐng)案第16/561,280號(hào)的優(yōu)先權(quán)及益處，該美國(guó)正式申請(qǐng)案的內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體元件是使用在不同的電子應(yīng)用，例如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，或其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件的尺寸是逐漸地變小，以符合計(jì)算能力所逐漸增加的需求。然而，在尺寸變小的工藝期間，是增加不同的問(wèn)題，且影響到最終電子特性、品質(zhì)以及良率。因此，仍然持續(xù)著在達(dá)到改善品質(zhì)、良率以及可靠度方面的挑戰(zhàn)。

上文的“現(xiàn)有技術(shù)”說(shuō)明僅是提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“現(xiàn)有技術(shù)”說(shuō)明公開(kāi)本公開(kāi)的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)，且上文的“現(xiàn)有技術(shù)”的任何說(shuō)明均不應(yīng)作為本公開(kāi)的任一部分。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體元件，包括：一基底，具有一上表面；多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)以及多個(gè)第二位元線接觸點(diǎn)，所述多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)是接觸該基底的該上表面，所述多個(gè)第二位元線接觸點(diǎn)是接觸該基底的該上表面，其中所述多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)以及所述多個(gè)第二位元線接觸點(diǎn)是沿一第一方向而位于不同水平面；多個(gè)第一位元線，分別地對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)上；多個(gè)第二位元線，分別地對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述多個(gè)第一位元線接觸點(diǎn)上；以及其中所述多個(gè)第二位元線接觸點(diǎn)的頂表面與所述多個(gè)第一位元線的頂表面是沿一第二方向而位于不同水平面，該第二方向是大致地垂直該第一方向。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，該半導(dǎo)體元件還包括一氣隙，該氣隙是(airgap)設(shè)置在該第一位元線接觸點(diǎn)與該第二位元線之間。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，該半導(dǎo)體元件還包括一氮化物間隙子(nitridespacer)，該氮化物間隙子設(shè)置在該第一位元線接觸點(diǎn)與該氣隙之間。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，該氣隙具有一間隙子形狀。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，該第二位元線接觸點(diǎn)具有一上寬度以及一下寬度，該下寬度小于該上寬度。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述多個(gè)第一位元線是相互分開(kāi)且相互平行設(shè)置。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述多個(gè)第二位元線是設(shè)置在相鄰兩個(gè)第一位元線之間。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，該第二位元線具有一上寬度以及一下寬度，該下寬度小于該上寬度。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，該第二位元線接觸點(diǎn)具有一上寬度以及一下寬度，該下寬度小于該上寬度，且該第二位元線的該下寬度小于該第二位元線接觸點(diǎn)的該上寬度。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述多個(gè)第二位元線的底表面是位于一垂直水平面，該垂直水平面是高于所述多個(gè)第一位元線的頂表面。